Development of Electrodes on Deep UV Light Emitting Diodes Using Nitride Semiconductors for Short Wavelengths

短波长氮化物半导体深紫外发光二极管电极的开发

• 批准号: 15K21684
• 负责人: KUROUCHI Masahito
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Kanagawa Industrial Technology Center
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2017-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-15K21684/
• 关键词: 窒化物半導体; 窒化アルミニウムガリウム; オーミック電極; 電子線リソグラフィ; 電極; 微細加工

项目成果

Study of metal ion concentration in Ni-W bath for glass imprinting mold

玻璃压印模具Ni-W镀液中金属离子浓度的研究

• 发表时间: 2016
• 作者: Manabu Yasui;Masahito Kurouchi;Hiroaki Ito;Takeshi Ozawa and Msahiro Arai
• 通讯作者: Takeshi Ozawa and Msahiro Arai

Removal of SU8 with N-Methyl-2-Pyrrolidone Doping LiCl and H2O

N-甲基-2-吡咯烷酮掺杂 LiCl 和 H2O 去除 SU8

• 发表时间: 2016
• 作者: M. Yasui;H. Nakano;M. Kurouchi;T. Ozawa;S. Kawano and S. Kaneko
• 通讯作者: S. Kawano and S. Kaneko

金属イオン濃度がNi-Wめっき膜の平坦性に与える影響に関する一考察

金属离子浓度对Ni-W镀膜平整度影响​​的研究

• 发表时间: 2015
• 作者: Manabu Yasui;Masahito Kurouchi;Hiroaki Ito;Takeshi Ozawa and Msahiro Arai;安井 学，金子 智，黒内 正仁，小沢 武，伊藤 寛明，荒井 政大;黒内 正仁，安井 学，小沢 武;安井学，金子智，黒内正仁，伊藤寛明，小沢武，荒井政大
• 通讯作者: 安井学，金子智，黒内正仁，伊藤寛明，小沢武，荒井政大

Ni-W thick film processing with higher frequency of pulse plating

更高频率的脉冲电镀镍钨厚膜加工

• 发表时间: 2017
• 作者: Manabu Yasui;Satoru Kaneko;Masahito Kurouchi;Hiroaki Ito;Takeshi Ozawa;and Masahiro Araki
• 通讯作者: and Masahiro Araki

熱インプリント用金型材料としてのNi-W膜の組成・結晶構造に関する研究

热压印模具材料Ni-W薄膜的成分与晶体结构研究

• 发表时间: 2015
• 作者: Manabu Yasui;Masahito Kurouchi;Hiroaki Ito;Takeshi Ozawa and Msahiro Arai;安井 学，金子 智，黒内 正仁，小沢 武，伊藤 寛明，荒井 政大
• 通讯作者: 安井 学，金子 智，黒内 正仁，小沢 武，伊藤 寛明，荒井 政大