Development of Electrodes on Deep UV Light Emitting Diodes Using Nitride Semiconductors for Short Wavelengths
Development of Electrodes on Deep UV Light Emitting Diodes Using Nitride Semiconductors for Short Wavelengths
短波长氮化物半导体深紫外发光二极管电极的开发
批准号：
15K21684
负责人：
KUROUCHI Masahito
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(20)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Study of metal ion concentration in Ni-W bath for glass imprinting mold
玻璃压印模具Ni-W镀液中金属离子浓度的研究
玻璃压印模具Ni-W镀液中金属离子浓度的研究
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Manabu Yasui, Masahito Kurouchi, Hiroaki Ito, Takeshi Ozawa and Msahiro Arai]
通讯作者：
Takeshi Ozawa and Msahiro Arai
Removal of SU8 with N-Methyl-2-Pyrrolidone Doping LiCl and H2O
N-甲基-2-吡咯烷酮掺杂 LiCl 和 H2O 去除 SU8
N-甲基-2-吡咯烷酮掺杂 LiCl 和 H2O 去除 SU8
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Yasui, H. Nakano, M. Kurouchi, T. Ozawa, S. Kawano and S. Kaneko]
通讯作者：
S. Kawano and S. Kaneko
金属イオン濃度がNi-Wめっき膜の平坦性に与える影響に関する一考察
金属离子浓度对Ni-W镀膜平整度影响的研究
金属离子浓度对Ni-W镀膜平整度影响的研究
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Manabu Yasui, Masahito Kurouchi, Hiroaki Ito, Takeshi Ozawa and Msahiro Arai, 安井 学，金子 智，黒内 正仁，小沢 武，伊藤 寛明，荒井 政大, 黒内 正仁，安井 学，小沢 武, 安井学，金子智，黒内正仁，伊藤寛明，小沢武，荒井政大]
通讯作者：
安井学，金子智，黒内正仁，伊藤寛明，小沢武，荒井政大
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Manabu Yasui, Satoru Kaneko, Masahito Kurouchi, Hiroaki Ito, Takeshi Ozawa, and Masahiro Araki]
通讯作者：
and Masahiro Araki
熱インプリント用金型材料としてのNi-W膜の組成・結晶構造に関する研究
热压印模具材料Ni-W薄膜的成分与晶体结构研究
热压印模具材料Ni-W薄膜的成分与晶体结构研究
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Manabu Yasui, Masahito Kurouchi, Hiroaki Ito, Takeshi Ozawa and Msahiro Arai, 安井 学，金子 智，黒内 正仁，小沢 武，伊藤 寛明，荒井 政大]
通讯作者：
安井 学，金子 智，黒内 正仁，小沢 武，伊藤 寛明，荒井 政大
共 9 条
海外基金