Write Reduction for Multi-level Cell Non-volatile Memory by Coding Optimally in the Worst Case

通过最坏情况下的最佳编码减少多级单元非易失性存储器的写入

基本信息

批准号：
16K16028
负责人：
TAWADA Masashi
金额：
$ 2.5万
依托单位：
Waseda University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（4）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

不揮発性メモリを対象とした低書き込みメモリ暗号化手法

非易失性存储器的低写存储器加密方法

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takuma Kurosawa;Asanao Shimokawa;Etsuo Miyaoka;多和田雅師
通讯作者：
多和田雅師

リードソロモン符号に基づいたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み削減

基于Reed-Solomon码的多级单元非易失性存储器写减少

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
多和田雅師;柳澤政生;戸川望
通讯作者：
戸川望

Effective Write-Reduction Method for MLC Non-volatile Memory

MLC非易失性存储器的有效减写方法

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Masashi Tawada;Shinji Kimura;Masao Yanagisawa;Nozomu Togawa
通讯作者：
Nozomu Togawa

高精度ストカスティック演算のためのFSM設計

用于高精度随机计算的 FSM 设计

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
多和田雅師;柳澤政生;戸川望
通讯作者：
戸川望

DOI：
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