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Write Reduction for Multi-level Cell Non-volatile Memory by Coding Optimally in the Worst Case
通过最坏情况下的最佳编码减少多级单元非易失性存储器的写入
基本信息
- 批准号：16K16028
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（4）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
不揮発性メモリを対象とした低書き込みメモリ暗号化手法
非易失性存储器的低写存储器加密方法
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takuma Kurosawa;Asanao Shimokawa;Etsuo Miyaoka;多和田雅師
- 通讯作者：多和田雅師
リードソロモン符号に基づいたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み削減
基于Reed-Solomon码的多级单元非易失性存储器写减少
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：多和田雅師;柳澤政生;戸川望
- 通讯作者：戸川望
Effective Write-Reduction Method for MLC Non-volatile Memory
MLC非易失性存储器的有效减写方法
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Masashi Tawada;Shinji Kimura;Masao Yanagisawa;Nozomu Togawa
- 通讯作者：Nozomu Togawa
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TAWADA Masashi其他文献
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