Write Reduction for Multi-level Cell Non-volatile Memory by Coding Optimally in the Worst Case
Write Reduction for Multi-level Cell Non-volatile Memory by Coding Optimally in the Worst Case
通过最坏情况下的最佳编码减少多级单元非易失性存储器的写入
批准号：
16K16028
负责人：
TAWADA Masashi
金额：
$2.5万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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不揮発性メモリを対象とした低書き込みメモリ暗号化手法
非易失性存储器的低写存储器加密方法
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DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takuma Kurosawa, Asanao Shimokawa, Etsuo Miyaoka, 多和田雅師]
通讯作者：
多和田雅師
リードソロモン符号に基づいたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み削減
基于Reed-Solomon码的多级单元非易失性存储器写减少
基于Reed-Solomon码的多级单元非易失性存储器写减少
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[多和田雅師, 柳澤政生, 戸川望]
通讯作者：
戸川望
Effective Write-Reduction Method for MLC Non-volatile Memory
MLC非易失性存储器的有效减写方法
MLC非易失性存储器的有效减写方法
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masashi Tawada, Shinji Kimura, Masao Yanagisawa, Nozomu Togawa]
通讯作者：
Nozomu Togawa
高精度ストカスティック演算のためのFSM設計
用于高精度随机计算的 FSM 设计
用于高精度随机计算的 FSM 设计
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[多和田雅師, 柳澤政生, 戸川望]
通讯作者：
戸川望
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