Theoretical study of high-speed and low-power-consumption MRAM devices using cone magnetization thin films
Theoretical study of high-speed and low-power-consumption MRAM devices using cone magnetization thin films
锥磁化薄膜高速低功耗MRAM器件的理论研究
批准号：
16K17509
负责人：
Matsumoto Rie
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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Critical magnetic field of spin torque oscillator with an in-plane magnetized free layer and an out-of-plane magnetized reference layer under angled magnetic field
具有面内磁化自由层和面外磁化参考层的自旋扭矩振荡器在成角度磁场下的临界磁场
具有面内磁化自由层和面外磁化参考层的自旋扭矩振荡器在成角度磁场下的临界磁场
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R. Matsumoto, H. Arai, S. Yuasa, and H. Imamura, R. Matsumoto and H. Imamura]
通讯作者：
R. Matsumoto and H. Imamura
磁気素子
磁性元件
磁性元件
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
磁気抵抗素子
磁阻元件
磁阻元件
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Voltage-driven precessional switching at zero bias magnetic field in a conically magnetized free layer
圆锥磁化自由层中零偏置磁场下的电压驱动进动切换
圆锥磁化自由层中零偏置磁场下的电压驱动进动切换
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[R. Matsumoto, T. Nozaki, S. Yuasa, and H. Imamura]
通讯作者：
and H. Imamura
共 17 条
Theoretical design of artificial spintronic neurons
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批准号：19K05259
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2019
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负责人：Matsumoto Rie
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依托单位：
海外基金