Theoretical design of artificial spintronic neurons
Theoretical design of artificial spintronic neurons
人工自旋电子神经元的理论设计
批准号：
19K05259
负责人：
Matsumoto Rie
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
关键词：
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Methods for reducing write error rate in voltage-induced switching having prolonged tolerance of voltage-pulse duration
用于降低具有延长的电压脉冲持续时间容限的电压感应开关中的写入错误率的方法
用于降低具有延长的电压脉冲持续时间容限的电压感应开关中的写入错误率的方法
DOI：
10.1063/1.5128154
发表时间：
2019
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[Matsumoto R., Imamura H.]
通讯作者：
Imamura H.
垂直磁化型MRAMにおける電圧パルス時間幅の許容範囲が広い電圧書き込み方式
垂直磁化MRAM的宽电压脉冲时间宽度允许范围的电压写入方法
垂直磁化MRAM的宽电压脉冲时间宽度允许范围的电压写入方法
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[松本利映, 佐藤智幸, 今村裕志]
通讯作者：
今村裕志
DOI：
10.1103/physrevapplied.11.044093
发表时间：
2018-10
期刊：
Physical Review Applied
影响因子：
4.6
作者：
[R. Matsumoto;S. Lequeux;H. Imamura;J. Grollier]
通讯作者：
R. Matsumoto;S. Lequeux;H. Imamura;J. Grollier
磁気素子、磁気メモリチップ、磁気記憶装置及び磁気素子の書き込み方法
磁性元件、磁性存储芯片、磁性存储装置以及磁性元件的写入方法
磁性元件、磁性存储芯片、磁性存储装置以及磁性元件的写入方法
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
10.1103/physrevapplied.17.034063
发表时间：
2022-03-25
期刊：
PHYSICAL REVIEW APPLIED
影响因子：
4.6
作者：
[Matsumoto, R., Imamura, H.]
通讯作者：
Imamura, H.
共 8 条
Theoretical study of high-speed and low-power-consumption MRAM devices using cone magnetization thin films
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批准号：16K17509
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2016
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负责人：Matsumoto Rie
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依托单位：
海外基金