High performance and controlling optical polarization for unpolar optical devices using hetero middle layer

使用异质中间层的非极性光学器件的高性能和控制光学偏振

基本信息

  • 批准号:
    16K17514
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
緩和した厚膜InGaNの成長とその評価 3
弛豫厚膜InGaN的生长及其评价3
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    猪股 祐貴;河村 澪;中島 慎太郎;板倉 秀之;藤本 怜;池内 裕紀;岡田 成仁;只友 一行
  • 通讯作者:
    只友 一行
Rensselaer Polytechnic Institute/Yale University(米国)
伦斯勒理工学院/耶鲁大学(美国)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Fabrication and evaluation of multiple-quantum wells on high-quality relaxed InGaN template fabricated by combination of ELO and CMP
ELO 和 CMP 相结合的高质量松弛 InGaN 模板上多量子阱的制作和评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yuki Inomata;Hideyuki Itajura;Satoru Fujimoto;Narihito Okada;and Kazuyuki Tadatomo
  • 通讯作者:
    and Kazuyuki Tadatomo
Yale University/Rensselaer Polytechnic Institute(米国)
耶鲁大学/伦斯勒理工学院(美国)
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  • 期刊:
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    0
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Okada Narihito其他文献

Identification of fine structures at the surface of epi-ready GaN wafer observed by confocal differential interference contrast microscopy
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    1.5
  • 作者:
    Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Sato Koji;Yao Yongzhao;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki
  • 通讯作者:
    Tadatomo Kazuyuki
Surface plasmon enhanced emissions from semipolar InGaN/GaN quantum wells
半极性 InGaN/GaN 量子阱的表面等离子体增强发射
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
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    0
  • 作者:
    Jun Kametani;Toshiki Nakamura;Fumiya Murao;Tetsuya Matsuyama;Kenji Wada;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki;Koichi Okamoto
  • 通讯作者:
    Koichi Okamoto
Growth of GaN and improvement of lattice curvature using symmetric hexagonal SiO2 patterns in HVPE growth
在 HVPE 生长中使用对称六方 SiO2 图案生长 GaN 并改善晶格曲率
  • DOI:
    10.7567/1347-4065/ab1125
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Fujimoto Satoru;Itakura Hideyuki;Tanikawa Tomoyuki;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki
  • 通讯作者:
    Tadatomo Kazuyuki
Anisotropic radius of curvature of crystal planes in wide-bandgap semiconductor wafers measured by X-ray diffraction
X射线衍射测量宽带隙半导体晶片晶面各向异性曲率半径
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac3a20
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Yao Yongzhao;Sugawara Yoshihiro;Yokoe Daisaku;Hirano Keiichi;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Ishikawa Yukari
  • 通讯作者:
    Ishikawa Yukari

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    $ 2.66万
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  • 财政年份:
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  • 资助金额:
    $ 2.66万
  • 项目类别:
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