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High performance and controlling optical polarization for unpolar optical devices using hetero middle layer

使用异质中间层的非极性光学器件的高性能和控制光学偏振

基本信息

批准号：
16K17514
负责人：
Okada Narihito
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Yamaguchi University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（12）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

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忠同实验室主页

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

緩和した厚膜InGaNの成長とその評価３

弛豫厚膜InGaN的生长及其评价3

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
猪股祐貴;河村澪;中島慎太郎;板倉秀之;藤本怜;池内裕紀;岡田成仁;只友一行
通讯作者：
只友一行

Rensselaer Polytechnic Institute/Yale University(米国)

伦斯勒理工学院/耶鲁大学（美国）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Fabrication and evaluation of multiple-quantum wells on high-quality relaxed InGaN template fabricated by combination of ELO and CMP

ELO 和 CMP 相结合的高质量松弛 InGaN 模板上多量子阱的制作和评估

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuki Inomata;Hideyuki Itajura;Satoru Fujimoto;Narihito Okada;and Kazuyuki Tadatomo
通讯作者：
and Kazuyuki Tadatomo

Yale University/Rensselaer Polytechnic Institute(米国)

耶鲁大学/伦斯勒理工学院（美国）

DOI：
发表时间：
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影响因子：
0
作者：
通讯作者：

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Okada Narihito其他文献

Identification of fine structures at the surface of epi-ready GaN wafer observed by confocal differential interference contrast microscopy

通过共焦微分干涉显微镜观察外延就绪 GaN 晶圆表面精细结构的识别

DOI：
10.35848/1347-4065/abbb23
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Sato Koji;Yao Yongzhao;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki
通讯作者：
Tadatomo Kazuyuki

Surface plasmon enhanced emissions from semipolar InGaN/GaN quantum wells

半极性 InGaN/GaN 量子阱的表面等离子体增强发射

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Jun Kametani;Toshiki Nakamura;Fumiya Murao;Tetsuya Matsuyama;Kenji Wada;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki;Koichi Okamoto
通讯作者：
Koichi Okamoto

Growth of GaN and improvement of lattice curvature using symmetric hexagonal SiO2 patterns in HVPE growth

在 HVPE 生长中使用对称六方 SiO2 图案生长 GaN 并改善晶格曲率

DOI：
10.7567/1347-4065/ab1125
发表时间：
2019
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Fujimoto Satoru;Itakura Hideyuki;Tanikawa Tomoyuki;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki
通讯作者：
Tadatomo Kazuyuki

Anisotropic radius of curvature of crystal planes in wide-bandgap semiconductor wafers measured by X-ray diffraction

X射线衍射测量宽带隙半导体晶片晶面各向异性曲率半径

DOI：
10.35848/1347-4065/ac3a20
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Yao Yongzhao;Sugawara Yoshihiro;Yokoe Daisaku;Hirano Keiichi;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Ishikawa Yukari
通讯作者：
Ishikawa Yukari