Ab-initio study on correlation between SiC/SiO2 interface structures and electronic properties
Ab-initio study on correlation between SiC/SiO2 interface structures and electronic properties
SiC/SiO2界面结构与电子性能相关性的从头算研究
批准号：
16K18075
负责人：
Matsushita Yu-ichiro
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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DOI：
10.7566/jpsj.86.054702
发表时间：
2017-05-15
期刊：
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN
影响因子：
1.7
作者：
[Matsushita, Yu-ichiro, Oshiyama, Atsushi]
通讯作者：
Oshiyama, Atsushi
Microscopic Mechanism of Carbon Annihilation upon SiC Oxidation due to Phosphorous Treatment: Density-Functional Calculations Combined with Ion Mass Spectroscopy
磷处理 SiC 氧化碳湮灭的微观机制：密度泛函计算结合离子质谱
磷处理 SiC 氧化碳湮灭的微观机制：密度泛函计算结合离子质谱
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
arXiv:1703.08063
影响因子：
--
作者：
[Takuma Kobayashi, Yu-ichiro Matsushita, Takafumi Okuda, Tsunenobu Kimoto, and Atsushi Oshiyama]
通讯作者：
and Atsushi Oshiyama
Coupled-cluster理論に基づくグリーン関数による周期系の電子状態計算
基于耦合团簇理论的格林函数周期系统电子态计算
基于耦合团簇理论的格林函数周期系统电子态计算
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[古川頼誉, 小杉太一, 西紘史, 松下雄一郎]
通讯作者：
松下雄一郎
SiC/SiO2界面における電子状態とそのデバイスへの影響
SiC/SiO2界面电子态及其对器件的影响
SiC/SiO2界面电子态及其对器件的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[J. Honda, H. Tajima and H. Yokoyama, 松下 雄一郎]
通讯作者：
松下 雄一郎
ソフィア大学(ブルガリア)
索非亚大学（保加利亚）
索非亚大学（保加利亚）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 13 条
Multi-scale calculations for complex correlation appearing in SiC oxidation and its impact on electronic properties
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批准号：18H03770
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额：$26.79万
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财政年份：2018
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负责人：Matsushita Yu-ichiro
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依托单位：
海外基金