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Ab-initio study on correlation between SiC/SiO2 interface structures and electronic properties

SiC/SiO2界面结构与电子性能相关性的从头算研究

基本信息

批准号：
16K18075
负责人：
Matsushita Yu-ichiro
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology (2018)The University of Tokyo (2016-2017)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（19）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Comprehensive Study on Band-Gap Variations in sp3-Bonded Semiconductors: Roles of Electronic States Floating in Internal Space

DOI：
10.7566/jpsj.86.054702
发表时间：
2017-05-15
期刊：
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN
影响因子：
1.7
作者：
Matsushita, Yu-ichiro;Oshiyama, Atsushi
通讯作者：
Oshiyama, Atsushi

Microscopic Mechanism of Carbon Annihilation upon SiC Oxidation due to Phosphorous Treatment: Density-Functional Calculations Combined with Ion Mass Spectroscopy

磷处理 SiC 氧化碳湮灭的微观机制：密度泛函计算结合离子质谱

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
arXiv:1703.08063
影响因子：
0
作者：
Takuma Kobayashi;Yu-ichiro Matsushita;Takafumi Okuda;Tsunenobu Kimoto;and Atsushi Oshiyama
通讯作者：
and Atsushi Oshiyama

Coupled-cluster理論に基づくグリーン関数による周期系の電子状態計算

基于耦合团簇理论的格林函数周期系统电子态计算

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
古川頼誉;小杉太一;西紘史;松下雄一郎
通讯作者：
松下雄一郎

SiC/SiO2界面における電子状態とそのデバイスへの影響

SiC/SiO2界面电子态及其对器件的影响

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
J. Honda;H. Tajima and H. Yokoyama;松下雄一郎
通讯作者：
松下雄一郎

ソフィア大学(ブルガリア)

索非亚大学（保加利亚）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

DOI：
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作者：
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Matsushita Yu-ichiro其他文献

Structure and energetics of carbon defects in SiC (0001)/SiO2 systems at realistic temperatures: Defects in SiC, SiO2, and at their interface

实际温度下 SiC (0001)/SiO2 系统中碳缺陷的结构和能量学：SiC、SiO2 及其界面处的缺陷

DOI：
10.1063/1.5100754
发表时间：
2019
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Kobayashi Takuma;Matsushita Yu-ichiro
通讯作者：
Matsushita Yu-ichiro

有機系熱電変換薄膜の特性改善と成膜技術

有机热电转换薄膜的性能改进及成膜技术

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
化学工業
影响因子：
0
作者：
Furukawa Yoritaka;Matsushita Yu-ichiro;谷川智之，山口智広，藤川誠司，佐々木拓生，高橋正光，松岡隆志;末光哲也，Prasertsuk Kiattiwut，谷川智之，木村健司，窪谷茂幸，松岡隆志;岸直希
通讯作者：
岸直希

Synthesis of inorganic nanomaterials for the infrared light response applications

用于红外光响应应用的无机纳米材料的合成

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kuroiwa Yuichiro;Matsushita Yu-ichiro;Oba Fumiyasu;〇Shu YIN
通讯作者：
〇Shu YIN

ヘテロナノ組織チタンにおける変形モードとひずみ速度依存性に関する研究

异质纳米结构钛的变形模式和应变率依赖性研究

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kuroiwa Yuichiro;Matsushita Yu-ichiro;Oba Fumiyasu;〇Shu YIN;人見匡俊，新山友暁，下川智嗣
通讯作者：
人見匡俊，新山友暁，下川智嗣

Atomic and electronic structures of nitrogen vacancies in silicon nitride: Emergence of floating gap states

氮化硅中氮空位的原子和电子结构：浮隙态的出现

DOI：
10.1103/physrevb.106.155201
发表时间：
2022
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
作者：
Nanataki Fugo;Shiraishi Kenji;Iwata Jun-ichi;Matsushita Yu-ichiro;Oshiyama Atsushi
通讯作者：
Oshiyama Atsushi