Fabrication of high current output fin-type diamond field-effect transistors
高电流输出鳍式金刚石场效应晶体管的制造
基本信息
- 批准号:16K18096
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(44)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Logic circuits with hydrogenated diamond MOSFETs
采用氢化金刚石 MOSFET 的逻辑电路
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:劉 江偉;Meiyong Liao;井村 将隆;小出 康夫
- 通讯作者:小出 康夫
Hydrogenated diamond MOSFETs and logic circuits
氢化金刚石 MOSFET 和逻辑电路
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:村上 厚介,齋藤 健太郎;高田 潤一;J. W. Liu
- 通讯作者:J. W. Liu
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- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:J. W. Liu;M. Y. Liao;M. Imura;B. Ryan;and Y. Koide
- 通讯作者:and Y. Koide
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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Liu Jiangwei的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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