Development of ultra-wide bandgap amorphous oxide semiconductors for photo-stable electronic devices
Development of ultra-wide bandgap amorphous oxide semiconductors for photo-stable electronic devices
用于光稳定电子器件的超宽带隙非晶氧化物半导体的开发
批准号：
17K14548
负责人：
Kim Junghwan
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2019-03-31
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Correlation between Electronic Structures and Instabilities in Amorphous Oxide Semiconductors
非晶氧化物半导体中电子结构与不稳定性之间的相关性
非晶氧化物半导体中电子结构与不稳定性之间的相关性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Junghwan Kim, Toshio Kamiya, Hideo Hosono]
通讯作者：
Hideo Hosono
Transition metal-doped amorphous oxide semiconductor thin film phosphor, chromium-doped amorphous gallium oxide
过渡金属掺杂非晶氧化物半导体薄膜荧光粉、铬掺杂非晶氧化镓
过渡金属掺杂非晶氧化物半导体薄膜荧光粉、铬掺杂非晶氧化镓
DOI：
10.1002/pssa.201800198
发表时间：
2019
期刊：
Phys. Status Solidi A
影响因子：
--
作者：
[Keisuke Ide, Yuki Futakado, Naoto Watanabe, Junghwan Kim, Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono, Toshio Kamiya]
通讯作者：
Toshio Kamiya
Electron Affinity Control of Amorphous Oxide Semiconductors and Its Applicability to Organic Electronics
非晶氧化物半导体的电子亲和力控制及其在有机电子学中的应用
非晶氧化物半导体的电子亲和力控制及其在有机电子学中的应用
DOI：
10.1002/admi.201801307
发表时间：
2018
期刊：
Advanced Materials Interfaces
影响因子：
5.4
作者：
[Kim Junghwan, Yamamoto Koji, Iimura Soshi, Ueda Shigenori, Hosono Hideo]
通讯作者：
Hosono Hideo
DOI：
10.1038/am.2017.20
发表时间：
2017-03-01
期刊：
NPG ASIA MATERIALS
影响因子：
9.7
作者：
[Kim, Junghwan, Sekiya, Takumi, Kamiya, Toshio]
通讯作者：
Kamiya, Toshio
Development of Ultra-Wide Bandgap Amorphous Oxide Semiconductors for Future Electronics
未来电子领域超宽带隙非晶氧化物半导体的开发
未来电子领域超宽带隙非晶氧化物半导体的开发
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Junghwan kim, Hideo Hosono]
通讯作者：
Hideo Hosono
共 9 条
Exploration of New Non-Toxic Metal Halides for Optoelectronic Applications
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批准号：19K15655
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项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2019
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负责人：Kim Junghwan
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依托单位：
海外基金