Development of ultra-wide bandgap amorphous oxide semiconductors for photo-stable electronic devices
用于光稳定电子器件的超宽带隙非晶氧化物半导体的开发
基本信息
- 批准号:17K14548
- 负责人:
- 金额:$ 2.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Correlation between Electronic Structures and Instabilities in Amorphous Oxide Semiconductors
非晶氧化物半导体中电子结构与不稳定性之间的相关性
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Junghwan Kim;Toshio Kamiya;Hideo Hosono
- 通讯作者:Hideo Hosono
Transition metal-doped amorphous oxide semiconductor thin film phosphor, chromium-doped amorphous gallium oxide
过渡金属掺杂非晶氧化物半导体薄膜荧光粉、铬掺杂非晶氧化镓
- DOI:10.1002/pssa.201800198
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Keisuke Ide;Yuki Futakado;Naoto Watanabe;Junghwan Kim;Takayoshi Katase;Hidenori Hiramatsu;Hideo Hosono;Toshio Kamiya
- 通讯作者:Toshio Kamiya
Electron Affinity Control of Amorphous Oxide Semiconductors and Its Applicability to Organic Electronics
非晶氧化物半导体的电子亲和力控制及其在有机电子学中的应用
- DOI:10.1002/admi.201801307
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:5.4
- 作者:Kim Junghwan;Yamamoto Koji;Iimura Soshi;Ueda Shigenori;Hosono Hideo
- 通讯作者:Hosono Hideo
Conversion of an ultra-wide bandgap amorphous oxide insulator to a semiconductor
- DOI:10.1038/am.2017.20
- 发表时间:2017-03-01
- 期刊:
- 影响因子:9.7
- 作者:Kim, Junghwan;Sekiya, Takumi;Kamiya, Toshio
- 通讯作者:Kamiya, Toshio
Development of Ultra-Wide Bandgap Amorphous Oxide Semiconductors for Future Electronics
未来电子领域超宽带隙非晶氧化物半导体的开发
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Junghwan kim;Hideo Hosono
- 通讯作者:Hideo Hosono
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纳维-斯托克斯方程的时间相关奇点的可去除性
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- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
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$ 2.83万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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$ 2.83万 - 项目类别:
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- 资助金额:
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