Fabrication of light element interstitial perpendicularly magnetized films on silicon substrates
Fabrication of light element interstitial perpendicularly magnetized films on silicon substrates
硅衬底上轻元素填隙垂直磁化薄膜的制备
批准号：
17K14651
负责人：
Ito Keita
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Growth of Fe4N/Cu/Fe4N tri-layer structure for current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance devices
Fe4N/Cu/Fe4N三层结构的电流垂直平面巨磁阻器件的生长
Fe4N/Cu/Fe4N三层结构的电流垂直平面巨磁阻器件的生长
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤啓太, 窪田崇秀, 高梨弘毅]
通讯作者：
高梨弘毅
脱窒素法によるL10-FeNi薄膜の作製
反硝化法制备L10-FeNi薄膜
反硝化法制备L10-FeNi薄膜
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[伊藤啓太, 林田誠弘, 水口将輝, 末益崇, 柳原英人, 高梨弘毅]
通讯作者：
高梨弘毅
Publons
普布隆斯
普布隆斯
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
XMCD測定によるNixFe4-xN(x = 1, 3)薄膜中の3d元素の優先占有サイトの評価
通过 XMCD 测量评估 NixFe4-xN (x = 1, 3) 薄膜中 3d 元素的优先占据位点
通过 XMCD 测量评估 NixFe4-xN (x = 1, 3) 薄膜中 3d 元素的优先占据位点
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高田郁弥, 伊藤啓太, 都甲薫, 竹田幸治, 斎藤祐児, 高梨弘毅, 木村昭夫, 末益崇]
通讯作者：
末益崇
共 16 条
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