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Hetero-junction devices of epsilon-Ga2O3 semiconductors by mist CVD technique

采用雾气CVD技术制备ε-Ga2O3半导体异质结器件

基本信息

批准号：
17K17839
负责人：
Hiroyuki Nishinaka
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Kyoto Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（30）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

ミストCVD法を用いたvan der Waals epitaxyによるフレキシブルなε-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長

使用雾气CVD法通过范德华外延法外延生长柔性ε-Ga2O3薄膜

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
新田悠汰;田原大祐;西中浩之;吉本昌広
通讯作者：
吉本昌広

ミストCVD法によるc面サファイア基板上へのε-Ga2O3薄膜成長におけるNiOバッファ層の効果

NiO缓冲层对雾气CVD法在c面蓝宝石衬底上生长ε-Ga2O3薄膜的影响

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
新田悠汰;田原大祐;森本尚太;西中浩之;吉本昌広
通讯作者：
吉本昌広

Stoichiometric control for heteroepitaxial growth of smooth ε-Ga2O3 thin films on c-plane AlN templates by mist chemical vapor deposition

通过雾化学气相沉积在 c 面 AlN 模板上异质外延生长光滑 ε-Ga2O3 薄膜的化学计量控制

DOI：
10.7567/jjap.56.078004
发表时间：
2017
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Tahara Daisuke;Nishinaka Hiroyuki;Morimoto Shota;Yoshimoto Masahiro
通讯作者：
Yoshimoto Masahiro

GaNテンプレート表面がε-Ga2O3薄膜に及ぼす影響

GaN模板表面对ε-Ga2O3薄膜的影响

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
森本尚太;田原大祐;西中浩之;吉本昌広
通讯作者：
吉本昌広

ミストCVD法によるε-Ga2O3薄膜の結晶成長とその電気的特性評価

雾气CVD法ε-Ga2O3薄膜的晶体生长及其电特性评价

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
田原大祐;西中浩之;野田実;吉本昌広
通讯作者：
吉本昌広

DOI：
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作者：
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Hiroyuki Nishinaka其他文献

Fine Channel Mist CVD法による単結晶ZnO薄膜の作製(2)

细通道雾化CVD法制备单晶ZnO薄膜（2）

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
吉元貴志;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;川原村敏幸;Hiroyuki Nishinaka;篠原大輔;川原村敏幸;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;川原村敏幸
通讯作者：
川原村敏幸

Fine Channel Mist CVD法によるZnO薄膜の成長メカニズム

细通道雾化CVD法ZnO薄膜的生长机理

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
吉元貴志;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;川原村敏幸;Hiroyuki Nishinaka;篠原大輔;川原村敏幸
通讯作者：
川原村敏幸

The growth of singlecrystalline ZnO films on a-plane sapphire by fine channel mist CVD method

细通道雾气CVD法在a面蓝宝石上生长单晶ZnO薄膜

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
吉元貴志;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;川原村敏幸;Hiroyuki Nishinaka;篠原大輔;川原村敏幸;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura
通讯作者：
Toshiyuki Kawaharamura

Effect of Surface Orientation and Morphology of β-Ga2O3 Substrates on the Initial Stage of NiO Epitaxial Growth

β-Ga2O3衬底表面取向和形貌对NiO外延生长初始阶段的影响

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yusuke Seki;Arifumi Okada;Yuki Kajita;Hiroyuki Nishinaka;Kohei Kadono
通讯作者：
Kohei Kadono

ミストCVD法によるsapphire基板上α-Ga203薄膜の成長

雾气CVD法在蓝宝石衬底上生长α-Ga2O3薄膜

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
0
作者：
吉元貴志;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;川原村敏幸;Hiroyuki Nishinaka;篠原大輔
通讯作者：
篠原大輔