Hetero-junction devices of epsilon-Ga2O3 semiconductors by mist CVD technique
Hetero-junction devices of epsilon-Ga2O3 semiconductors by mist CVD technique
采用雾气CVD技术制备ε-Ga2O3半导体异质结器件
批准号：
17K17839
负责人：
Hiroyuki Nishinaka
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2019-03-31
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ミストCVD法を用いたvan der Waals epitaxyによるフレキシブルなε-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長
使用雾气CVD法通过范德华外延法外延生长柔性ε-Ga2O3薄膜
使用雾气CVD法通过范德华外延法外延生长柔性ε-Ga2O3薄膜
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[新田悠汰, 田原大祐, 西中浩之, 吉本昌広]
通讯作者：
吉本昌広
ミストCVD法によるc面サファイア基板上へのε-Ga2O3薄膜成長におけるNiOバッファ層の効果
NiO缓冲层对雾气CVD法在c面蓝宝石衬底上生长ε-Ga2O3薄膜的影响
NiO缓冲层对雾气CVD法在c面蓝宝石衬底上生长ε-Ga2O3薄膜的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[新田 悠汰, 田原 大祐, 森本 尚太, 西中 浩之, 吉本 昌広]
通讯作者：
吉本 昌広
Stoichiometric control for heteroepitaxial growth of smooth ε-Ga2O3 thin films on c-plane AlN templates by mist chemical vapor deposition
通过雾化学气相沉积在 c 面 AlN 模板上异质外延生长光滑 ε-Ga2O3 薄膜的化学计量控制
通过雾化学气相沉积在 c 面 AlN 模板上异质外延生长光滑 ε-Ga2O3 薄膜的化学计量控制
DOI：
10.7567/jjap.56.078004
发表时间：
2017
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Tahara Daisuke, Nishinaka Hiroyuki, Morimoto Shota, Yoshimoto Masahiro]
通讯作者：
Yoshimoto Masahiro
GaNテンプレート表面がε-Ga2O3薄膜に及ぼす影響
GaN模板表面对ε-Ga2O3薄膜的影响
GaN模板表面对ε-Ga2O3薄膜的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[森本尚太, 田原大祐, 西中浩之, 吉本昌広]
通讯作者：
吉本昌広
ミストCVD法によるε-Ga2O3薄膜の結晶成長とその電気的特性評価
雾气CVD法ε-Ga2O3薄膜的晶体生长及其电特性评价
雾气CVD法ε-Ga2O3薄膜的晶体生长及其电特性评价
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田原大祐, 西中浩之, 野田実, 吉本昌広]
通讯作者：
吉本昌広
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