半導体によるレーザー
半導体によるレーザー
批准号:
X40430-----93009
负责人:
西沢 潤一
金额:
$0.23万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Organization Research
财政年份:
1965
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1965 至 --
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
化合物半導体の化学量論的組成からの偏倚及び制御に関する研究
-
批准号:60229003
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$37.12万
-
财政年份:1985
-
负责人:西沢 潤一
-
依托单位:
化合物半導体の化学量的組成からの偏倚及び制御に関する研究
-
批准号:59227004
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$59.52万
-
财政年份:1984
-
负责人:西沢 潤一
-
依托单位:
プラズマエッチング反応過程の解明
-
批准号:X00070----542034
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
-
资助金额:$16.96万
-
财政年份:1980
-
负责人:西沢 潤一
-
依托单位:
集束性光半導体機能素子集積回路の研究
-
批准号:X00040----420505
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$0.45万
-
财政年份:1979
-
负责人:西沢 潤一
-
依托单位:
集束性光半導体機能素子集積回路の研究
-
批准号:X00040----321004
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$4.61万
-
财政年份:1978
-
负责人:西沢 潤一
-
依托单位:
集束性光半導体機能素子集積回路の研究
-
批准号:X00040----221703
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$1.92万
-
财政年份:1977
-
负责人:西沢 潤一
-
依托单位:
III-V族化合物半導体素子の表面不活性化
-
批准号:X00040----121105
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$2.24万
-
财政年份:1976
-
负责人:西沢 潤一
-
依托单位:
III-V族化合物半導体素子の表面不活性化
-
批准号:X00040----021802
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$1.6万
-
财政年份:1975
-
负责人:西沢 潤一
-
依托单位:
レーザ・ダイオードを用いた光論理素子の研究
-
批准号:X00070----742024
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
-
资助金额:$15.03万
-
财政年份:1972
-
负责人:西沢 潤一
-
依托单位:
深い不純物単位を含むP‐N接合及びレーザー・ダイオードを用いた光記憶装置の研究
-
批准号:X45040-----92012
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$2.56万
-
财政年份:1970
-
负责人:西沢 潤一
-
依托单位:
キャパシメトリーによる半導体の深い準位の研究
-
批准号:X44040-----95009
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$2.56万
-
财政年份:1969
-
负责人:西沢 潤一
-
依托单位:
レーザ光制御と光計算素子
-
批准号:X43040-----99010
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$1.66万
-
财政年份:1968
-
负责人:西沢 潤一
-
依托单位:
高能率レーザダイオート
-
批准号:X42120-----53020
-
项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
-
资助金额:$0.58万
-
财政年份:1967
-
负责人:西沢 潤一
-
依托单位: