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III-V族化合物半導体素子の表面不活性化

III-V族化合物半導体素子の表面不活性化
III-V族化合物半导体器件的表面钝化
批准号：
X00040----121105
负责人：
西沢 潤一
金额：
$2.24万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1976
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1976 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00040----121105/
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化合物半導体の化学量論的組成からの偏倚及び制御に関する研究
  • 批准号：
    60229003
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $37.12万
  • 财政年份：
    1985
  • 负责人：
    西沢 潤一
  • 依托单位：
    Tohoku University
化合物半導体の化学量的組成からの偏倚及び制御に関する研究
  • 批准号：
    59227004
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $59.52万
  • 财政年份：
    1984
  • 负责人：
    西沢 潤一
  • 依托单位：
    Tohoku University
プラズマエッチング反応過程の解明
  • 批准号：
    X00070----542034
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $16.96万
  • 财政年份：
    1980
  • 负责人：
    西沢 潤一
  • 依托单位：
    Tohoku University
集束性光半導体機能素子集積回路の研究
  • 批准号：
    X00040----420505
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $0.45万
  • 财政年份：
    1979
  • 负责人：
    西沢 潤一
  • 依托单位：
    Tohoku University