Magnetische Vielfach-Resonanz-Untersuchungen an substratfreien GaAs- und AlGaAs-Niedertemperatur-MBE-Schichten

Die von Prof. Döhler und Mitarbeitern（Universität埃尔兰根）zur Verfügung gestellten“low temperature”（LT）mit Molekularstrahlepitaxie（MBE）gewachsenen ca. 0.5 μm的GaAs和AlGaAs-Schichten，通过剥离技术衬底，可以通过光学检测电子顺磁谐振韦尔登来解决。本文通过对磁锆吸收二向色性（MCDA）光谱、自旋弛豫时间和MCDA的顺、反磁性的研究，证明了AsGa在生长态和回火态下的非磁性缺陷。MCDA可以将频带能量转换为韦尔登。在94 GHz（W波段）上用MCDA探测器探测电子核多普勒（ENDOR）进行探测，可使韦尔登器件的结构更合理。W波段是伪双极Kopplungseffekte的Unterdrückung。Weiterhin sollen noch mehrere Temperschritte und Temperzwischenschritte zur genaueren Correlation mit dem Leitfähigkeitsverhalten nach Tempern（Universität埃尔兰根）untersucht韦尔登.

Die von Prof. Döhler und Mitarbeitern (Universität Erlangen) zur Verfügung gestellten "low temperature" (LT) mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) gewachsenen ca. 0,5 µm dicken GaAs und AlGaAs-Schichten, welche durch eine Lift-off Technik substratfrei sind, sollen weiterhin mit optisch detektierter elektronenparamagnetischer Resonanz untersucht werden. Die bisherigen Messungen haben Evidenz für unterschiedliche Arsen-antisite (AsGa)-artige Defekte in as-grown Schichten und nach Tempern gebracht, wobei sich die Unterschiede in dem spektralen Verlauf des magnetischen Zirkulardichroismus der Absorption (MCDA), der Spin-Gitter-Relaxationszeit und dem paramagnetischen und diamagnetischen Anteil des MCDA bemerkbar machen. Der MCDA konnte weit über die Bandkantenenergie hinaus bis tief ins Leitungsband hinein gemessen werden. Die Untersuchungen sollen mit MCDA-detektierter Elektronen-Kern-Doppelresonanz (ENDOR) bei 94 GHz (W-Band) fortgesetzt werden zur weiteren Strukturaufklärung der AsGa-artigen Defekte. W-Band ist erforderlich zur Unterdrückung der pseudo-dipolaren Kopplungseffekte. Weiterhin sollen noch mehrere Temperschritte und Temperzwischenschritte zur genaueren Korrelation mit dem Leitfähigkeitsverhalten nach Tempern (Universität Erlangen) untersucht werden.