低速電子衝撃による吸着の研究
低速電子衝撃による吸着の研究
慢电子轰击吸附研究
批准号：
X41440-----51125
负责人：
金 鉉佑
金额：
$0.06万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Particular Research
财政年份：
1966
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1966 至 --
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会议论文
電界イオン顕微鏡, Atomprobe電界イオン顕微鏡による半導体‐金属界面の研究
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批准号：59550023
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.02万
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财政年份：1984
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负责人：金 鉉佑
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依托单位：
高電流密度(La-B)薄膜陰極の研究
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批准号：X00090----455011
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.51万
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财政年份：1979
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负责人：金 鉉佑
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依托单位：