電界イオン顕微鏡, Atomprobe電界イオン顕微鏡による半導体‐金属界面の研究
電界イオン顕微鏡, Atomprobe電界イオン顕微鏡による半導体‐金属界面の研究
使用场离子显微镜和 Atomprobe 场离子显微镜研究半导体-金属界面
批准号：
59550023
负责人：
金 鉉佑
金额：
$1.02万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1984
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1984 至 --
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高電流密度(La-B)薄膜陰極の研究
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批准号：X00090----455011
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.51万
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财政年份：1979
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负责人：金 鉉佑
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依托单位：
低速電子衝撃による吸着の研究
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批准号：X41440-----51125
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项目类别：Particular Research
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资助金额：$0.06万
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财政年份：1966
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负责人：金 鉉佑
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依托单位：