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半導体(特にIII―V族化合物半導体)の低温における非線形伝導

半導体(特にIII―V族化合物半導体)の低温における非線形伝導
半导体(特别是III-V族化合物半导体)在低温下的非线性传导
批准号:
X44080-----38637
负责人:
宮沢 久雄
金额:
$0.83万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份:
1969
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1969 至 --
关键词:

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高純度InSb単結晶育成と量子化および非線型伝導によるその完全性の評価
  • 批准号:
    X00090----155009
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $0.96万
  • 财政年份:
    1976
  • 负责人:
    宮沢 久雄
  • 依托单位:
III-V族半導体 (特にn-InSb) の非線形伝導
  • 批准号:
    X46090-----84029
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $0.56万
  • 财政年份:
    1971
  • 负责人:
    宮沢 久雄
  • 依托单位:
n‐InSd の低温における非線形伝導
  • 批准号:
    X45040-----95038
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额:
    $1.86万
  • 财政年份:
    1970
  • 负责人:
    宮沢 久雄
  • 依托单位:
半導体(特にIII-V族化合物半導体)の底温における非線形伝導
  • 批准号:
    X43080------8637
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $1.02万
  • 财政年份:
    1968
  • 负责人:
    宮沢 久雄
  • 依托单位: