高純度InSb単結晶育成と量子化および非線型伝導によるその完全性の評価
高純度InSb単結晶育成と量子化および非線型伝導によるその完全性の評価
高纯InSb单晶的生长及其通过量子化和非线性传导评估其完整性
批准号：
X00090----155009
负责人：
宮沢 久雄
金额：
$0.96万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1976
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1976 至 1977
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会议论文
III-V族半導体 (特にn-InSb) の非線形伝導
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批准号：X46090-----84029
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.56万
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财政年份：1971
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负责人：宮沢 久雄
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依托单位：
n‐InSd の低温における非線形伝導
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批准号：X45040-----95038
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项目类别：Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额：$1.86万
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财政年份：1970
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负责人：宮沢 久雄
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依托单位：
半導体(特にIII―V族化合物半導体)の低温における非線形伝導
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批准号：X44080-----38637
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额：$0.83万
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财政年份：1969
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负责人：宮沢 久雄
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依托单位：
半導体(特にIII-V族化合物半導体)の底温における非線形伝導
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批准号：X43080------8637
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额：$1.02万
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财政年份：1968
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负责人：宮沢 久雄
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依托单位：