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シリコン半導体上のスティン窒化膜の電気的性質とその応用に関する研究

シリコン半導体上のスティン窒化膜の電気的性質とその応用に関する研究
硅半导体氮化物薄膜电性能及应用研究
批准号：
X44080-----38640
负责人：
谷口 一郎
金额：
$0.53万
依托单位：
Doshisha University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份：
1969
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1969 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X44080-----38640/
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RNP remodeling by RNA helicase UAP56
シリコン半導体上のスティン窒化膜の電気的性質とその応用に関する研究
  • 批准号：
    X43080------8640
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $1.63万
  • 财政年份：
    1968
  • 负责人：
    谷口 一郎
  • 依托单位：
    Doshisha University