GaAs 表面変成層に関する研究
GaAs 表面変成層に関する研究
GaAs表面变质作用研究
批准号：
X45210------5001
负责人：
越賀 夫差子
金额：
$0.12万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1970
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1970 至 --
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
ハロゲン元素を含む雰囲気でのSiプラズマ陽極酸化の研究
-
批准号：57550185
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额：$0.83万
-
财政年份：1982
-
负责人：越賀 夫差子
-
依托单位：
ハロゲン元素を含む雰囲気でのSiプラズマ陽極酸化の応用
-
批准号：56550208
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额：$1.02万
-
财政年份：1981
-
负责人：越賀 夫差子
-
依托单位：