単一温度域法によるIII-V族化合物半導体の気相成長
単一温度域法によるIII-V族化合物半導体の気相成長
使用单一温度范围方法气相生长 III-V 族化合物半导体
批准号：
X00040----920816
负责人：
関 壽
金额：
$2.88万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1974
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1974 至 --
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会议论文
ミストを原料とするマイクロ波プラズマCVD法による超伝導薄膜の作製
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批准号：07650357
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.41万
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财政年份：1995
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负责人：関 壽
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依托单位：
原子層エピタキシーにおける最表面層の元素置換現象
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批准号：05650006
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.28万
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财政年份：1993
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负责人：関 壽
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依托单位：
CVD法によるIII-V族混晶の結晶成長機構
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批准号：X00040----820410
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项目类别：Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额：$1.54万
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财政年份：1973
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负责人：関 壽
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依托单位：