ミストを原料とするマイクロ波プラズマCVD法による超伝導薄膜の作製
ミストを原料とするマイクロ波プラズマCVD法による超伝導薄膜の作製
批准号:
07650357
负责人:
関 壽
金额:
$1.41万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1995
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1995 至 --
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科学気相堆積法(Chemical Vapor Deposition;CVD法)は良質な薄膜結晶が容易に得られるところから、多くの機能性薄膜の作製に用いられている。しかしながら、不幸なことに酸化物超伝導体のCVDに用いることのできる適当な蒸気圧を持ち、しかも安定である原料がない。このため、不安定な有機金属錯体を原料に用いているのが現状である。先に、申請者はこのような問題点を解決するために、1.原料供給が容易で、2.高純度で、3.安価な原料を用いることができる金属塩の水溶液ミストを用いるマイクロ波プラズマCVD法を独自に開発し、as-grown状態で高い臨界温度(T_<c-zero>)を持つ良質なY系、Bi系、Tl系の超伝導薄膜の作製を行ってきた。そこで、本研究では、この方法を用いてAg添加YBaCuO超伝導薄膜のas-grown作製を試みた。原料には、金属原子比として1:2:3:としたY(NO_3)・6H_2、Ba(NO_3)_2、Cu(NO_3)・3H_2O水溶液を用いた。Ag添加にはAgNO_3を用いた。超音波振動子により霧化された原料ミストは、O_2またはArキャリアーガスを用いて成長装置中の酸素プラズマの中心に置かれたMgO基板上に供給された。得られたAg添加YBaCuO薄膜は、従来のYBaCuO超伝導薄膜に比べ、凹凸の少ない表面であり、T_<c-zero>は80Kから85Kへと増加した。Agの添加によるこのような物性の向上は、X線回折や室温抵抗の測定結果より、YBaCuO薄膜の結晶性の向上に起因することが明らかとなった。このように、as-grownでのAg添加YBaCuO超伝導薄膜の作製に成功した例は国内外ともなく、大きな成果といえる。
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N.Takahashi: "Preparation and characterization of Y-System superconducting thin films by mist microwave plasma chemical rapour deposition." Journal of Materials Science. 31. (1996)
N.Takahashi:“通过雾微波等离子体化学沉积法制备 Y 系统超导薄膜并对其进行表征。”
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
N.Takahashi: "as-grown preparation of Ag-doped Y-Ba-Cu-O superconducting thin films by mist microwave plasma chemical vapour deposition." Journal of Materials Science Letters. 14. 1757-1760 (1995)
N.Takahashi:“通过雾微波等离子体化学气相沉积法制备银掺杂 Y-Ba-Cu-O 超导薄膜。”
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
N.Takahashi: "Preparation of (Tl,Bi,Pb)-Sr-Ca-Cu-O superconducting thin films by the mist microwave plasma chemical vapour deposition method" Journal of Materials Science Letters. 14. 1681-1683 (1995)
N.Takahashi:“雾微波等离子体化学气相沉积法制备(Tl,Bi,Pb)-Sr-Ca-Cu-O超导薄膜”《材料科学快报》杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
N.Takahashi: "Relutionship between crystal structures and Pb addition of Te-Sr-Ca-Cu-O superconducting thin films prepared by the mist microwave plasma CVD method" Journal of Crystal Growth. 151. 300-304 (1995)
N.Takahashi:“雾微波等离子体CVD法制备的Te-Sr-Ca-Cu-O超导薄膜的晶体结构与Pb添加之间的关系”《晶体生长杂志》。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
原子層エピタキシーにおける最表面層の元素置換現象
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批准号:05650006
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1993
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负责人:関 壽
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依托单位:
単一温度域法によるIII-V族化合物半導体の気相成長
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批准号:X00040----920816
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.88万
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财政年份:1974
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负责人:関 壽
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依托单位:
CVD法によるIII-V族混晶の結晶成長機構
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批准号:X00040----820410
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1973
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负责人:関 壽
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依托单位:
海外基金