High field ESR and electron/nuclear double resonance on electron systems dominated by exchange, especially on electrons in semiconductor nanostructures

Nanostrukturierte Halbleiter(Quanfime，Quantendrähte，Quantpenkte，Heterostrukturen)Sind Mangels Empfindlichkeit Bisher einer分析Durch Direkte Magtische Resonazoden Praktisch nick ht Zugänglich.他说：“我的意思是，我不知道怎么做才能做到这一点，所以我要做的就是不做任何事情。我是Rahman des Beantragten Projektes，SI1-xGex/SI1-y，SI1-xGex/SI1-yGey WeitergefüHRT。Für die Erweiterung auf Elektron(Overhauser-/Knight-Shift für austauschverschmälerte Elektronensystem)(Overhauser-/Knight-Shift für austauschverschmälerte Elektronensystem(Overhauser-/Knight-Shift für aur austauschverschmälerte Elektron)Sind die Examentellen Vorossetzungen zum teil Schon geschaffen Worden)。他说：“这是一项非常重要的工作，我们将继续努力工作。”Frasterellungen sind：Zuordnung der Spinsignale，Quantity Bstimung der Suszeptibilitäten(und Damit z.B.der Fermienergien)，Quantity g-Faktor-Analyse Hoher Präzision and Analyst der SpinDynamik(Linienbreiten，Relaxationszeiten)。这是一个磁共振器，也是一种电学的方法，它的特征在于它的纳米结构。

Nanostrukturierte Halbleiter (Quantenfilme, Quantendrähte, Quantenpunkte, Heterostrukturen) sind mangels Empfindlichkeit bisher einer Analyse durch direkte magnetische Resonazmethoden praktisch nicht zugänglich. Die Signale von Leitungselektronen (Leitungslöcher) und flachen Donatoren/Akzeptoren unterscheiden sich untereinander nur wenig im g-Faktor (z.B. nur Dg 10-4 bei Si), so daß bei tiefen Frequenzen die Unterschiede innerhalb der Linienbreiten verborgen bleiben. Im Rahmen des beantragten Projektes werden solche Untersuchungen an vorhandenen Quantenfilmsystemen wie Si/Si1-y, Si1-xGex/Si1-yGey weitergeführt. Für die Erweiterung auf Elektron/Kerndoppelresonanz-Verfahren (Overhauser-/Knight-Shift für austauschverschmälerte Elektronensysteme) sind die experimentellen Voraussetzungen zum Teil schon geschaffen worden. Diese sollen ausgebaut und die ESR- und Doppelresonanzmethoden auf Quantenstrukturen aus dem III/V- und II/VI-Halbleiterbereich erweitert werden. Fragestellungen sind: Zuordnung der Spinsignale, quantitative Bestimmung der Suszeptibilitäten (und damit z.B. der Fermienergien), quantitative g-Faktor-Analyse hoher Präzision und Analyse der Spindynamik (Linienbreiten, Relaxationszeiten). Ziel ist, die magnetische Resonanz als weitere ergänzende Methode zur Charakterisierung der elektronischen Eigenschaften von nanostrukturierten Halbleitersystemen zu etablieren.