课题基金 / 基金详情

高密度励起下での半導体の一軸応力効果の研究

高密度励起下での半導体の一軸応力効果の研究
高密度激励下半导体单轴​​应力效应研究
批准号：
X00210----075474
负责人：
瀬川 勇三郎
金额：
$0.19万
依托单位：
The Institute of Physical and Chemical Research
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1975
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1975 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00210----075474/
关键词：

项目摘要

项目成果

瀬川 勇三郎的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
イオン結晶量子井戸の光学的性質に関する研究
半導体表面での電磁波に対する付加境界条件の決定に関する研究
ピコ秒グレーティング法を用いた, 半導体の素励起の拡散過程の研究
  • 批准号：
    X00210----474144
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.51万
  • 财政年份：
    1979
  • 负责人：
    瀬川 勇三郎
  • 依托单位：
    The Institute of Physical and Chemical Research
ピコ秒レーザーを用いた半導体発光の減衰時間の測定とその素子評価への応用
  • 批准号：
    X00210----275017
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.26万
  • 财政年份：
    1977
  • 负责人：
    瀬川 勇三郎
  • 依托单位：
    The Institute of Physical and Chemical Research