ピコ秒グレーティング法を用いた, 半導体の素励起の拡散過程の研究
ピコ秒グレーティング法を用いた, 半導体の素励起の拡散過程の研究
皮秒光栅法研究半导体基元激发扩散过程
批准号：
X00210----474144
负责人：
瀬川 勇三郎
金额：
$0.51万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1979
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1979 至 --
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
イオン結晶量子井戸の光学的性質に関する研究
-
批准号：05640394
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额：$1.28万
-
财政年份：1993
-
负责人：瀬川 勇三郎
-
依托单位：
半導体表面での電磁波に対する付加境界条件の決定に関する研究
-
批准号：58540192
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额：$0.96万
-
财政年份：1983
-
负责人：瀬川 勇三郎
-
依托单位：
ピコ秒レーザーを用いた半導体発光の減衰時間の測定とその素子評価への応用
-
批准号：X00210----275017
-
项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额：$0.26万
-
财政年份：1977
-
负责人：瀬川 勇三郎
-
依托单位：
高密度励起下での半導体の一軸応力効果の研究
-
批准号：X00210----075474
-
项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额：$0.19万
-
财政年份：1975
-
负责人：瀬川 勇三郎
-
依托单位：
反射磁気光学効果による半導体表面の研究
-
批准号：X00210----775016
-
项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额：$0.14万
-
财政年份：1972
-
负责人：瀬川 勇三郎
-
依托单位：