半導体へのイオン打込みによって生ずる格子欠陥の ESR による研究
半導体へのイオン打込みによって生ずる格子欠陥の ESR による研究
离子注入半导体引起的晶格缺陷的 ESR 研究
批准号：
X00210----775007
负责人：
長谷川 誠一
金额：
$0.14万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1972
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1972 至 --
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会议论文
多結晶Si結晶粒界に及ぼすプラズマ熱処理効果
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批准号：X00090----555006
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.6万
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财政年份：1980
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负责人：長谷川 誠一
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依托单位：
非晶質Si及びGe中の格子欠陥と光伝導との関連
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批准号：X00090----355008
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.15万
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财政年份：1978
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负责人：長谷川 誠一
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依托单位：
多結晶シリコンの結晶界面における電気伝導
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批准号：X00210----175006
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.22万
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财政年份：1976
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负责人：長谷川 誠一
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依托单位：