非晶質Si及びGe中の格子欠陥と光伝導との関連
非晶質Si及びGe中の格子欠陥と光伝導との関連
非晶Si和Ge晶格缺陷与光电导率的关系
批准号：
X00090----355008
负责人：
長谷川 誠一
金额：
$1.15万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1978
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1978 至 1979
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
多結晶Si結晶粒界に及ぼすプラズマ熱処理効果
-
批准号：X00090----555006
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额：$1.6万
-
财政年份：1980
-
负责人：長谷川 誠一
-
依托单位：
多結晶シリコンの結晶界面における電気伝導
-
批准号：X00210----175006
-
项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额：$0.22万
-
财政年份：1976
-
负责人：長谷川 誠一
-
依托单位：
半導体へのイオン打込みによって生ずる格子欠陥の ESR による研究
-
批准号：X00210----775007
-
项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额：$0.14万
-
财政年份：1972
-
负责人：長谷川 誠一
-
依托单位：