课题基金 / 基金详情

化合物半導体の初期酸化による表面状態の変化に関する研究

化合物半導体の初期酸化による表面状態の変化に関する研究
化合物半导体初始氧化引起的表面态变化研究
批准号：
X00040----121123
负责人：
中村 勝吾
金额：
$2.56万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1976
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1976 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00040----121123/
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多層量子井戸構造の作製と電子プローブ表面EXAFSによる評価
  • 批准号：
    61214007
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $0.83万
  • 财政年份：
    1986
  • 负责人：
    中村 勝吾
  • 依托单位：
    Osaka University
多層量子井戸構造の作製と電子プローブ表面 EXAFS による評価
  • 批准号：
    60222030
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $0.96万
  • 财政年份：
    1985
  • 负责人：
    中村 勝吾
  • 依托单位：
    Osaka University
電界イオン顕微鏡およびアトムプローブの定量性の確立と金属学への応用
  • 批准号：
    59350002
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
  • 资助金额：
    $1.86万
  • 财政年份：
    1984
  • 负责人：
    中村 勝吾
  • 依托单位：
    Osaka University
半導体表面および金属との界面の二次元素の原子構造と電子構造
  • 批准号：
    57460054
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $4.61万
  • 财政年份：
    1982
  • 负责人：
    中村 勝吾
  • 依托单位：
    Osaka University