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多層量子井戸構造の作製と電子プローブ表面EXAFSによる評価

多层量子阱结构的制作及电子探针表面EXAFS评估

基本信息

批准号：
61214007
负责人：
中村勝吾
金额：
$ 0.83万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1986
资助国家：
日本
起止时间：
1986 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

混晶超高速オプトエレクトロニクスデバイスのための多層量子井戸構造を種々の条件でMBE法を用いて作製すること、それらの素子作製の過程における混晶領域および化合物半導体との界面の原子構造を、電子プローブ表面広域X線吸収微細構造(EXAFS)を用いて解析し、デバイスの特性との関係を解明することが目的である。しかし、本年度の設備備品費が受けられなかったため、本年度の課題のうち、電子プローブ表面EXAFSによる表面・界面の原子構造解析は現在のところ達成されていない。他の課題については、次の成果を得た。1.Si上におけるGeエピタキシャル薄膜の成長。Si基板温度240℃で蒸着し(低温成長)、その後500℃で加熱すること(ポストアニーリング)により、比較的大きな格子不整がある系(Si-Ge系では約4%)でも、巨視的にも平坦で結晶性も良好なエピタキシャル薄膜が得られることを明らかにした。低温成長の場合には成長初期に微結晶が成長することから、Si-Ge界面に存在する微結晶層が、格子不整により生ずる歪みの緩和に大きく寄与していることを指摘した。2.GaAs/Si系の表面・界面の評価。Si(111)基板を400℃に保ちGaAsを蒸着し、表面超格子構造及び成長過程をRHEEDで観察し次のことを明らかにした。(1)Si(7×7)上に400℃でAsを蒸着した場合、Asはホローサイト(第2層または第4層の真上)に吸着し理想的な(111)表面が出現する。(2)その表面上にGaAsを成長させた場合、(111)面が得られる。また、GaAs薄膜をX線回折,SEM等で観測し、良好な膜が得られていることを確認した。今後、AlAs/Si,AlAs/GaAs等の界面構造,成長過程を調べ、多層量子井戸構造の試作・評価を行う予定である。

Mixed-crystal ultra-high-speed Gyptronic multi-layer quantum well structure Parts are made using the MBE method, and the process of making them is mixed crystal field The atomic structure of the compound semiconductor and the interface, the surface area X-ray absorption fine structure of the electron プロー (E XAFS) is used to analyze the characteristics and relationships, and to explain the purpose of the analysis.しかし、This year's equipment and spare parts fee is accepted けられなかったため、This year's project のうち、Electronic プローブsurface EXAFSによるsurface・interfaceのatomic structure analysisはnowのところachievedされていない. His project was completed and his results were obtained. 1. Growth of silicone film on silicon. The Si substrate temperature is 240°C and is steamed (low-temperature growth), and the heat is heated at 500°C and the temperature is increased. Comparative large-scale grids are not Full がある system (Si-Ge system では approximately 4%) でも, giant にもflat で knot The good crystallinity of the なエピタキシャル film is obtained by the られることを明らかにした. In the case of low-temperature growth, the growth of microcrystals in the early stage of growth and the presence of the Si-Ge interface are possible. The micro-crystalline layer is uneven, the texture is irregular, the texture is uneven, the texture is relaxed, the texture is relaxed, and the texture is smooth and smooth. 2. Evaluation of surface and interface of GaAs/Si system. The Si(111) substrate has a GaAs evaporation temperature maintained at 400°C, a super lattice structure on the surface, and a growth process that is controlled by RHEED. (1) In the case where Si (7×7) is steamed at 400℃, the ideal surface of Assemblage (the second layer and the fourth layer) is adsorbed and the ideal surface does not appear. (2) In the case where GaAs does not grow on the surface, (111) the surface does not grow. GaAs film and GaAs film can be tested by X-ray folding, SEM, etc., and a good film can be confirmed by testing. From now on, the trial production and evaluation of interface structures, growth processes, etc. of AlAs/Si, AlAs/GaAs, and multi-layer quantum well structures will be determined.