電界効果を用いた非結晶質半導体の局在準位の研究
電界効果を用いた非結晶質半導体の局在準位の研究
利用场效应研究非晶半导体中的局域能级
批准号：
X00210----175008
负责人：
嶋川 晃一
金额：
$0.25万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1976
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1976 至 --
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会议论文
シンクロトロン放射光によるアモルファス半導体の可逆光誘起現象
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批准号：06650362
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.28万
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财政年份：1994
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负责人：嶋川 晃一
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依托单位：
極端紫外光を用いたアモルファス半導体の可逆光誘起現象に関する研究
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批准号：05650294
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.34万
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财政年份：1993
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负责人：嶋川 晃一
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依托单位：
光交流法によるアモルファス半導体の局在電子状態の研究
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批准号：57550009
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.15万
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财政年份：1982
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负责人：嶋川 晃一
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依托单位：
グロー放電法によるアモルファスSiCの作成とその応用物性
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批准号：X00095----365004
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额：$0.28万
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财政年份：1978
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负责人：嶋川 晃一
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依托单位：