高濃度n型Siにおける電子ラマン散乱の一軸性応力効果
高濃度n型Siにおける電子ラマン散乱の一軸性応力効果
单轴应力对高浓度n型硅中电子拉曼散射的影响
批准号：
X00210----274079
负责人：
関根 智幸
金额：
$0.22万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1977
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1977 至 --
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会议论文
光散乱による遷移金属酸化物のスピンダイナミクス及び電荷秩序の研究
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批准号：12046257
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额：$1.92万
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财政年份：2000
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负责人：関根 智幸
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依托单位：
遷移金属ダイカルコゲナイドのラマン散乱の磁場効果
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批准号：56740119
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.53万
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财政年份：1981
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负责人：関根 智幸
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依托单位：
遷移金属カルコゲナイド化合物のラマン散乱
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批准号：X00210----374083
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.26万
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财政年份：1978
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负责人：関根 智幸
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依托单位：