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光散乱による遷移金属酸化物のスピンダイナミクス及び電荷秩序の研究

光散乱による遷移金属酸化物のスピンダイナミクス及び電荷秩序の研究
光散射研究过渡金属氧化物的自旋动力学和电荷顺序
批准号:
12046257
负责人:
関根 智幸
金额:
$1.92万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份:
2000
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2000 至 2001

项目摘要

项目成果

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1.不純物置換系CuGeO_3のラマン散乱の研究成果(1)Niをドープした単結晶のラマン散乱より、スピンパイエルス相で現れる折り返しフォノンを調べた。ドープ濃度が増えると、転移温度と伴に格子変位の大きさが低下し、スピンパイエルス転移は抑圧され、2%以上では長距離秩序は起こらない。また、2%以上の試料でも、低温で現れる反強磁性相で、幅広い折り返しフォノンが観測でき、格子変位の短距離秩序は存在する。(2)Niをドープした系では、不純物Niイオンの束縛スピノンを中間状態として、磁気ギャップモードの1次ラマン散乱が観測できた。2つの磁気励起束縛状態からの2次ラマンピークは、ドープ量を増やすと共鳴状態になり、急速に消失する。(3)Niドープ系での高磁場下で誘起される不整合相では、磁気ギャップモードはソリトン格子からの励起に成り、高周波数にピークが移動し、磁気励起束縛・共鳴状態の散乱強度は急速に減少する。(4)高濃度にMnやNi、Znをドープした試料の室温・静水圧下でのラマン散乱より、純粋な試料の非静水圧下で現れるpyroxene構造への逐次相転移が起こることを発見した。(5)高濃度にMgをドープした試料で、低温・高圧下でスピンパイエルス相が復活する事を、折り返しフォノン、磁気ギャップモード、磁気励起束縛状態を観測することより示した。(6)高圧下では結晶構造の違うスピンパイエルス相が現われ、Mg3.5%試料で圧力及び温度に対する相図を得た。(7)Mnドープ系でMnイオンの局在フォノンを観測した。2.Mn酸化物Nd_<1-x>Sr_xMnO_3のラマン散乱及び光反射の研究成果(1)x=0.5及び0.49の試料で、電荷秩序に伴う格子歪みによって活性化されたフォノンピークを、相転移温度以下で観測した。(2)低周波数領域に、温度を低温から電荷秩序相転移温度に上げると、半値幅が異常に大きくなるOverdampedピーク(磁気励起と思われる)を発見した。(3)x=0.48では、電荷秩序相転移がなくなるため、この相で現われるフォノンピークが観測できない。
期刊论文(5)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
T.Sekine: "Raman-Scattering Study of Doping Effects on the Structural Phase Transitions under Hydrostatic Pressures in CuGeO_3"Journal of the Physical Society of Japan. 70巻・1号. 290-296 (2001)
T.Sekine:“CuGeO_3 静水压下结构相变的掺杂效应的拉曼散射研究”日本物理学会杂志第 70 卷,第 1 期。290-296 (2001)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
H.Kuroe: "Raman and Luminescence Spectra in the Spin-Peierls System Cu_<1-x>Ni_xGeO_3"Physica B. 284-288巻. 1643-1644 (2000)
H.Kuroe:“自旋 Peierls 系统 Cu_<1-x>Ni_xGeO_3 中的拉曼和发光光谱”Physica B. Vol. 1643-1644 (2000)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
H.Kuroe: "Low-Frequency Excitations in the Charge-Ordered Phase of (Nd_<0.5>Sr_<0.5>)MnO_3"Physica B. (in press). (2002)
H.Kuroe:“(Nd_<0.5>Sr_<0.5>)MnO_3 电荷有序相中的低频激发”Physica B.(出版中)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
遷移金属ダイカルコゲナイドのラマン散乱の磁場効果
  • 批准号:
    56740119
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.53万
  • 财政年份:
    1981
  • 负责人:
    関根 智幸
  • 依托单位:
遷移金属カルコゲナイド化合物のラマン散乱
  • 批准号:
    X00210----374083
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.26万
  • 财政年份:
    1978
  • 负责人:
    関根 智幸
  • 依托单位:
高濃度n型Siにおける電子ラマン散乱の一軸性応力効果
  • 批准号:
    X00210----274079
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.22万
  • 财政年份:
    1977
  • 负责人:
    関根 智幸
  • 依托单位:
海外基金