Pの蒸気圧を制御した温度差法によるIn_1-xGaxPの液相エピタキシャル成長
Pの蒸気圧を制御した温度差法によるIn_1-xGaxPの液相エピタキシャル成長
控制P蒸气压温差法液相外延生长In_1-xGaxP
批准号：
X00210----375155
负责人：
加藤 孝正
金额：
$0.26万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1978
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1978 至 --
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短波長可視光レ-ザ用半導体の液相エピタキシアル成長と量子井戸構造の作成
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批准号：03650251
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.02万
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财政年份：1991
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负责人：加藤 孝正
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依托单位：
化学量論的組成比をもつIn_<1-X>Ga_XPの液相エピタキシャル成長
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批准号：X00210----575186
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.51万
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财政年份：1980
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负责人：加藤 孝正
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依托单位：
Pの蒸気圧を制御した温度差法によるIn_<1-x>GaxPの液相エピタキシャル成長
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批准号：X00210----275161
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.24万
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财政年份：1977
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负责人：加藤 孝正
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依托单位：
発光ダイオード用In_1-xGaxP単結晶の成長
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批准号：X00210----875151
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.15万
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财政年份：1973
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负责人：加藤 孝正
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依托单位：