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短波長可視光レ-ザ用半導体の液相エピタキシアル成長と量子井戸構造の作成

短波长可见光激光器用半导体的液相外延生长及量子阱结构的构建

基本信息

批准号：
03650251
负责人：
加藤孝正
金额：
$ 1.02万
依托单位：
University of Yamanashi
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03650251/
关键词：
可視光レ-ザ LPE成長薄膜多層構造量子井戸構造 IIIーV半導体温度差法

项目摘要

InGaAlPの液相成長では,Alの固相中への取り込みが困難であるといわれてきた.そこでAlの投入方法を変えて,成長層内への取り込まれ具合を実験的に求めた.投入方法としては,1)Alを単独で,2)InーAl合金の形で,3)GaAs基板上にAl蒸着して,の3つを用いた.その結果,1)2)の方法では,成長層中にはほとんどAlは取り込まれないこと,3)の方法では,ほぼ状態図から予想される傾向と一致してAlが固相中に入ることが判明した.成長に先立つ溶液の冷却によって過飽和度をつけることは,温度差法では本来必要がない.そこで,0〜12℃の溶液温度降下幅によるAlの成長層中への取り込まれかたを比較したが,違いはみられなかった.これらの事実は,In溶媒中では,Alが溶液内に均一に溶けていないことを示唆する.成長したInGAAlP層はX線マイクロアナライザによる組成分析の結果,基板全体にわたって均一というものではなく,まったくAlが含まれていない部分が見られた.この結果と一致して,PLやCL測定からもInGaAlPとInGaPの2つのスペクトルが同じ基板上で観測された.基板上に均一に成長させるための条件を見いだすことが今後の課題である.量子井戸構造の作成に向けて,InGaP/GaAs多層薄膜の成長条件と成長層膜厚の関係を実験的に求めた.その結果,成長温度で格子整合する成長層組成のとき,平坦で結晶性の良い薄膜が得られることが,SEM,X線回折およびPL測定より明らかになった.得られた最小膜厚は,現在のところ約200Aである.しかしながら,X線サテライトピ-クは観測されていない.CLスペクトルの電子線加速電圧依存性から成長層の吸収係数や真の発光スペクトルを求める方法を検討,考察した.この方法は,多層成長膜の各層の結晶性などを非破壊で評価する有効な手段となり得る.

InGaAlP's liquid phase growth is difficult, and Al's solid phase growth is difficult. The input of Al is difficult. Method を変えて, growth layer へのGET り込まれ合を実験’s にquest めた.Input method としては, 1)Al を単多で, 2) The shape of InーAl alloy, 3) Al evaporation on GaAs substrate, the result of using 3), the method of 1) 2)は, the growth layer in the にはほとんどAl は take り込まれないこと, 3) method では, ほぼstate 図から yu think される tendencies と一It is clear that the solid phase of Al is in the solid phase. The growth is first established. The solution is cooled and the supersaturation degree is determined. Temperature The difference method is originally necessary, and the solution temperature drop range from 0 to 12°C is the same as the Al growth layer. Comparing したが, violating いはみられなかった.これらの事実は, In the solvent, では, Al が solution in the homogeneous solution けていないThe results of the growth of the InGAAlP layer and the composition analysis of the InGAAlP layer, the results of the composition analysis of the whole substrate,たって合一というものではなく,まったくAlがcontainingまれていないPartが见られた.このRESULTSと unanimousして,PLやCL is measured and InGaAlP and InGaP are measured uniformly on the same substrate.にGrowth させるためのconditions を见いだすことがFuture projects である.Quantum well structure construction に向けて,InGaP/G The relationship between the growth conditions of the aAs multilayer film and the film thickness of the growth layer is the result of the growth temperature, the grid integration, and the growth layer. Composition of the film, flat and crystalline film, SEM, X-ray folding of the film, PL measurement of the filmた. Get the minimum film thickness of られた, and the current のところ is about 200A. である.しかしながら,ていない.CLスペクトルのElectron beam acceleration voltage dependenceからGrowth layer absorption coefficientや真の発光スペクトルをFinding methodを検 Discussion, investigation and investigation of the method, the crystallinity of each layer of the multi-layer growth film, the non-destructive evaluation method, and the effective method.