反射高速電子回折による結晶の最上層表面構造の動的研究
反射高速電子回折による結晶の最上層表面構造の動的研究
批准号:
X00040----520602
负责人:
井野 正三
金额:
$1.47万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份:
1980
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1980 至 --
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会议论文
エピタクシャル成長の基礎過程
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批准号:02352016
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.98万
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财政年份:1990
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负责人:井野 正三
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依托单位:
電子線励起X線全反射角分光法による半導体薄膜の構造の研究
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批准号:63609504
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1988
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负责人:井野 正三
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依托单位:
電子線励起X線全反射分光法による表面原子構造の研究
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批准号:60420018
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
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资助金额:$11.65万
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财政年份:1985
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负责人:井野 正三
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依托单位:
表面に特有な超格子構造の解析とその新しい方法の開発
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批准号:57340020
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:1982
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负责人:井野 正三
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依托单位:
反射高速電子回折による結晶の最上層表面構造の動的研究
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批准号:X00040----421502
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1979
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负责人:井野 正三
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依托单位:
高速反射電子回折オージエ電子分光による固体表面構造の研究
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批准号:X00080----246045
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$6.34万
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财政年份:1977
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负责人:井野 正三
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依托单位: