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電子線励起X線全反射角分光法による半導体薄膜の構造の研究

电子束激发X射线全反射角光谱研究半导体薄膜结构

基本信息

批准号：
63609504
负责人：
井野正三
金额：
$ 1.28万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1988
资助国家：
日本
起止时间：
1988 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、Ge(111)表面上にGeを蒸着したときに見られるRHEED反射点の強度の振動する様子を測定し、1原子層単位のGe結晶の成長過程の研究をおこなった。電子線の入射方位を〔112〕に設定してRHEEDパターンを蛍光板上に映し出し、鏡面反射点の強度及び形状の変化をTVカメラを用いて詳細に測定した。下地温度は約180℃でGeを蒸着した時には、2原子層単位の成長に対応する振動が観察された。電子線の入射方位〔112〕から約5°ずらして同様の測定をおこなうと、1原子層周期の振動がみられた。この条件においては鏡面反射点の指数はl=3.4に相当するが、バルクの指数で(333)(l=3.0)に相当するスポットが観察され、その裾野が強面反射点に重なっていることがわかった。そここので2つのスポットを分離して振動の1周期にわたって強度の変化を測定したところ、両スポットとも2原子層単位で振動していた。しかし振動の位相が互いに半周期ずれているため、見かけ上の1原子層単位の振動が現れることがわかった。以上のことからGeの成長は1原子層単位ではなく2原子層単位であることが明かとなった。またイオン励起全反射角X線分光法によるSi(111)上のAgの成長過程や脱離過程研究も行った。Agの吸着量はRBS(ラザフォード後方散乱)ランダムスペクトルによってイオン励起のX線スペクトルを較正して見積った。測定された脱離曲線をみるとAgの結晶粒子と√<3>×3┫D3┣D83構造が共存する状態では蒸発速度は大きいが、吸着量が1原子層となる前後でAgの脱離速度が急激に小さくなった。このことからSi(111)┣D83┫D8×┣D83┫D3-Ag構造のAgの吸着量はIMLと推定される。また、この構造の表面からの脱離の活性化エネルギーは63Kcal/molと求められた。

In this paper, we study the growth process of Ge crystals at the atomic layer level by measuring the vibration intensity of Ge evaporation on Ge(111) surface. The incident direction of electron ray is set, and the reflection on the mirror plate, the intensity and shape of the specular reflection point are measured in detail. When Ge is evaporated at about 180℃, the vibration of the growth of 2 atomic layers is observed. The incident orientation of electron rays [112] varies from about 5° to about 1 °. The index of specular reflection point is l=3.4, which corresponds to the index of specular reflection point (333)(l=3.0). 2. To measure the intensity of vibration in a single cycle. The phase of the vibration is equal to the half-period of the vibration. The growth of Ge in the above two atomic layers is different from that in the previous two atomic layers. Study on the Growth and Detachment Processes of Ag on Si(111) by X-ray Spectrophotometry. Ag adsorption is RBS(rarefaction), which is the result of X-ray absorption. The separation curve of Ag crystal particles was measured. The structure of Ag crystal <3>particles was blue-shifted. The evaporation rate was increased. The adsorption amount was 1 atomic layer. The separation rate of Ag was decreased rapidly. Ag adsorption capacity of Si(111) D83 D8× D83 D3-Ag structure is estimated by IML. The surface of the structure is separated from the active surface by 63Kcal/mol.