Fluktuationen inhomogener Zustände im zweidimensionalen Hubbardmodell

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Im Rahmen des beantragten Projekts sollen die Fluktuationen um inhomogene elektronische Zustände im Hubbard Modell berechnet werden. Ausgangspunkt sind hierbei inhomogene Strukturen, welche mittels einer slave-boson Formulierung des Hubbard Modells in der Mean-field Näherung erhalten wurden. Insbesondere interessieren wir uns dabei für streifenartige Lösungen bei welchen die dotierten Löcher in quasi eindimensionalen Strukturen lokalisiert sind und welche im unterdotierten Bereich der Hoch-TcSupraleiter beobachtet werden. Ebenfalls von Interesse sind die Spinstrukturen um zwei dotierte Löcher, wobei sich sowohl Vortex-Antivortex Lösungen als auch skyrmionische Zustände ausbilden können. Für diese Lösungen soll das Funktionalintegral um den Sattelpunkt bis zur zweiten Ordnung in den Feldern entwickelt werden, um so die Gauss-Korrekturen zur Mean-Field Lösung zu erhalten. Mittels dieses Ansatzes können neben der Energiekorrektur auch die verschiedenen Response Funktionen berechnet werden und man erhält auf diese Weise Information über die kollektiven bzw. lokalen Anregungen des Systems.