Sulfidic photochemical passivation of III-V semi-conductors in alcoholic solutions
III-V族半导体在酒精溶液中的硫化光化学钝化
基本信息
- 批准号:5173503
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:1999
- 资助国家:德国
- 起止时间:1998-12-31 至 2001-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
III-V Halbleitern weisen in der Regel an ihrer Oberfläche eine hohe Dichte an elektronischen Zuständen auf. Die möglichen Anwendungen vor allem in der Mikroelektronik werden dadurch eingeschränkt. Für GaAs-Oberflächen ergibt die Passivierung in Sulfid-Lösungen eine deutliche Verbesserung der elektronischen Eigenschaften. Grundlage dieses Antrages sind unsere experimentellen Ergebnisse, die zeigen, daß die elektronischen Eigenschaften der passivierten GaAs-Oberfläche bei Behandlung mit Na2S- bzw. (NH4)2S-Lösung sehr stark vom verwendeten Lösungsmittel abhängen. Wir konnten nachweisen, daß die Passivierung mit abnehmender Dielektrizitätskonstante des Lösungsmittels deutlich besser und dauerhafter wird. Durch Beleuchtung des GaAs während der Behandlung kann der Passivierungseffekt erheblich beschleunigt werden. Ziel des beantragten Vorhabens ist es, durch weiterführende experimentelle und theoretische Untersuchungen ein grundlegendes Verständnis der Passivierungsvorgänge, insbesondere auch bei Beleuchtung, zu erreichen. Auf der Basis der dabei gewonnenen Erkenntnisse sollen die Parameter bei der photochemischen Passivierung optimiert werden. Als weiteres Ziel wird eine Verbesserung der elektronischen Charakteristik von Schottky-Dioden und MIS-Strukturen auf GaAs-Basis durch Anwendung der photochemischen Passivierung der GaAs-Oberfläche angestrebt.
III-V Halbleitern weisen in der Regel an irrer Oberfläche eine hohe Dichte an elektronischen Zuständen auf.该möglichen Anwendungen vor allem in der Mikroelektronik韦尔登dadeingeschränkt.对于GaAs-Oberflächen来说,在硫化物-Lösungen中的钝化是一种电子本征值的德国Verbesserung。基本上,这些缺陷是我们的实验结果,这些缺陷是用Na 2S-bzw处理无源GaAs-Oberfläche的电子特性的结果。(NH4)2S-Lösung sehr stark vom verwendeten Lösungsmittel abhängen.我们知道接下来,我们将使用德国最好的和最好的激光器来进行无源化。GaAs的退火处理可以使无源化效应完全韦尔登。Ziel des beantragten Vorhabens is es,durch weiterfüchtelle de experimentelle und theoretische Untersuchungen ein grundschule des Verständnis der Passivierungsvorgänge,insbesondere auch bei Beleuchtung,zu erreichen.在此基础上,确定了光化学钝化最优化韦尔登参数.本文通过对GaAs光致发光的光化学钝化处理,对GaAs基肖特基二极管和MIS结构的电学特性进行了研究。
项目成果
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