陽極反応Si多孔質層の生成メカニズムに関する基礎的研究とICプロセスへの応用
陽極反応Si多孔質層の生成メカニズムに関する基礎的研究とICプロセスへの応用
阳极反应硅多孔层形成机理及其在IC工艺中的应用基础研究
批准号：
X00090----355002
负责人：
前田 正雄
金额：
$1.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1978
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1978 至 --
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
金属薄膜の超伝導臨界温度に及ぼす作製時の条件および熱処理の効果に関する研究
-
批准号：58460207
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
-
资助金额：$3.14万
-
财政年份：1983
-
负责人：前田 正雄
-
依托单位：
示差熱分析法による強磁性薄膜の物性に関する研究
-
批准号：X00090----055011
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额：$1.09万
-
财政年份：1975
-
负责人：前田 正雄
-
依托单位：