Neuartiger Prozeß zur Plasma-CVD-Synthese von kohlenstoffhaltigen Hartstoffschichten an der Luftatmosphäre

空气气氛中等离子CVD合成含碳硬质材料层的新工艺

• 批准号: 5173576
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Gerd Sepold
• 金额: --
• 依托单位: BIAS - Bremer Institut für Angewandte Strahltechnik GmbH
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5173576?language=en
• 关键词: Neuartiger; Proze; zur; Plasma; CVD

Im beantragten Forschungsvorhaben sollen die physikalisch-technischen Grundlagen für ein neuartiges Plasma-CVD-Verfahren zur Synthese von kohlenstoffhaltigen Hartstoffschichten an Luftatmosphäre untersucht werden. Dazu soll nach dem Prinzip eines optischen Plasmatrons ein stationäres Plasma an Luft durch die optische Anregung von Prozeßgasen im elektromagnetischen Feld eines Multikilowatt-cw.Lasers erzeugt werden. Durch Variation der precursorgase und der Abscheidebedingungen sollen in diesem Plasma verschiedene Schichten (z.B. DLC, Diamant, CN) durch Plasma-CVD synthetisiert werden. Das Verfahren zeichnet sich insbesondere dadurch aus, daß auf eine Beschichtungskammer und damit auf eine Vakuumapparatur vollständig verzichtet werden kann. Aufgrund der hohen Temperaturen der lasererzeugten Plasmen (15000 - 20000 K) sind die dissoziations- und Ionisationsraten der Moleküle im Plasma sehr hoch. außerdem sind wegen des gegenüber anderen Plasma-CVD-Verfahren um Größenordnungen höheren Prozeßdrucks wesentlich höhere Beschichtungsraten als mit den Vakuumverfahren erreichbar.

在此基础上，建立了一种基于物理技术的<s:1>神经系统与等离子体的合成方法，并建立了一种基于物理技术的合成方法。大祖soll nach dem Prinzip eines optischen Plasmatrons in stationäres等离子体和Luft durch die optische Anregung von Prozeßgasen in电磁场eines multikw -cw。激光是不可能的。Durch等离子体- cvd合成研究[j] . b . DLC, Diamant， CN。Das Verfahren zeichnet siich insbesonere dadurch aus， dasß auf eine Beschichtungskammer和damit auf eine vakuumapparur vollständig verzichtet werden kann。激光加热等离子体（15000 - 20000k）的温度、晶体解离和分子电离的研究[j]。außerdem sind wegen des gegen<e:1> beranderen Plasma-CVD-Verfahren um Größenordnungen höheren proze ß drks wesentlich höhere Beschichtungsraten als mit den Vakuumverfahren erreichbar。