化合物半導体GaNx薄膜単結晶の育成とその超伝導特性の解明に関する研究
化合物半導体GaNx薄膜単結晶の育成とその超伝導特性の解明に関する研究
批准号:
X00210----475208
负责人:
大矢 銀一郎
金额:
$0.45万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1979
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1979 至 --
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酸化物高温超伝導体固有の超格子構造から発現する電子現象の解明と機能化に関する研究
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批准号:06216215
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1994
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负责人:大矢 銀一郎
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依托单位:
酸化物高温超伝導体固有の超格子構造から発現する電子現象の解明と機能化に関する研究
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批准号:05224213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.3万
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财政年份:1993
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负责人:大矢 銀一郎
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依托单位:
酸化物高温超伝導体固有の超格子構造から発現する電子現象の解明と機能化に関する研究
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批准号:04240212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.69万
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财政年份:1992
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负责人:大矢 銀一郎
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依托单位:
高温超伝導体単結晶薄膜の育成と超伝導電子素子応用に関する基礎研究
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批准号:03210103
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$4.8万
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财政年份:1991
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负责人:大矢 銀一郎
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依托单位:
高温超伝導体単結晶薄膜の育成と超伝導電子素子応用に関する基礎研究
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批准号:02226202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$6.34万
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财政年份:1990
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负责人:大矢 銀一郎
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依托单位:
高温超伝導体単結晶薄膜の育成と超伝導電子素子応用に関する基礎研究
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批准号:01644501
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$6.53万
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财政年份:1989
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负责人:大矢 銀一郎
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依托单位:
酸化物高温超伝導体単結晶薄膜光エピタキシー装置の試作
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批准号:63850074
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$5.76万
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财政年份:1988
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负责人:大矢 銀一郎
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依托单位:
原子層エピタキシャル法による酸化物単結晶薄膜の成長機構とその制御に関する基礎研究
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批准号:58550204
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1983
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负责人:大矢 銀一郎
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依托单位:
原子層エピタキシャル法による酸化物単結晶薄膜育成のための制御装置の試作
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批准号:58850073
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1983
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负责人:大矢 銀一郎
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依托单位:
固相拡散・反応を利用した, シリコン単結晶ウエハーと一体構造の超伝導電子素子の製作
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批准号:56750194
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1981
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负责人:大矢 銀一郎
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依托单位: