高温超伝導体単結晶薄膜の育成と超伝導電子素子応用に関する基礎研究

高温超导单晶薄膜生长基础研究及超导电子器件应用

基本信息

  • 批准号:
    03210103
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.8万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1991
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1991 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究は、酸化物高温超伝導体のデバイス応用を目指しており、その基礎研究として、これまで、YBa_2Cu_3O_<7ーX>薄膜のエピタクシャル成長と高品質化ならびに高電流密度化を中心に研究を進め、成果を得た。今年度は、さらに、そのデバイス化へ向けて、高温超伝導体固有の特徴を活かした概念や方式によるデバイスを開発する目的で、高温超伝導体の層状構造に基づく異方的特徴に着目し、(Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2Oy単結晶の結晶自身に内在する固有のデバイス性について検討を行った。得られた成果は以下のようである。1.(Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2O_y単結晶のジョセフソン接合的振舞いの観測.自己フラックス法により製作された上記バルク結晶(最大寸法:6×4×4mm^3,超伝導転移温度T_c:60〜80K)を用い、その超伝導基礎特性として、構成層に垂直な方向(c軸方向)に電流を流した場合の電流ー電圧特性、臨界電流の温度ならびに磁場依存性、さらにマイクロ波応答特性等を調べた。その結果から、同単結晶は、一般的に、c軸方向に超伝導層ー(常伝導層)ー絶縁層ー(常伝導層)ー超伝導層積層形ジョセフソントンネル接合のアレ-で構成されていることを明らかにした。2.マグネトロンスパッタ法によるY系超伝導薄膜の高電流密度化の研究.単一タ-ゲットを用いたdcマグネトロンスパッタ方式により、Y系酸化物の高臨界電流密度J_cをもつ薄膜の最適製作条件を追及した。その結果、Baーpoorタ-ゲットを用いて高T_cおよび高J_c薄膜を合成するスパッタ条件を明らかにし、77Kゼロ磁場でのJ_cがT_cの向上とともに増大することを示した。さらに、これらの特性を左右する薄膜組成はスパッタ時の酸素分圧に強く依存することがわかった。
This study は, acidification of high temperature and ultra 伝 conductor の デ バ イ ス 応 with を refers し て お り, そ の basic research と し て, こ れ ま で, YBa_2Cu_3O_ 7 ー < X > film の エ ピ タ ク シ ャ ル growth と high-quality な ら び に high current density を center に た を を め, achievement. Our は, さ ら に, そ の デ バ イ ス is changed to け へ て, high temperature and super conductor 伝 inherent の 徴 を live か し た concept や way に よ る デ バ イ ス を open 発 す で る purpose, high temperature and ultra 伝 の conductor layer structure に base づ く 徴 of different parties に with mesh し, Bi, Pb) _2Sr_2CaCu_2Oy 単 の crystallization itself に inner す る inherent の Youdaoplaceholder0 デバ ス sex に て検 て検 て検 ask for を line った. The られた results are as follows: ようである. 1. Vibration measurement of (Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2O_y単 crystalline ジョセフソ ジョセフソ 観. His フ ラ ッ ク ス method に よ り making さ れ た written バ ル ク crystallization (largest inch method: 6 x 4 x 4 mm ^ 3, super 伝 guide planning move temperature T_c: 60 ~ 80 k) を い, そ の super 伝 guide base feature と し て, constitute layer に vertical axis (c) に な direction current を flow し た の current ー electric 圧 characteristic, critical current の temperature な ら び に magnetic field The を modulation べた of dependence, さらに, ロ, ロ, ロ wave 応 characteristics, etc. そ の results か ら, with 単 crystallization は, general に, c axis に 伝 ー guide layer (layer often 伝 guide) ー ー never try layer (layer often 伝 guide) ー super 伝 guide layer product shape ジ ョ セ フ ソ ン ト ン ネ ル joint の ア レ - で constitute さ れ て い る こ と を Ming ら か に し た. 2. Research on <s:1> High current density <e:1> of による Y-series Super伝 conductive thin films by による グネトロ スパッタ スパッタ スパッタ method. 単 タ - ゲ ッ ト を with い た dc マ グ ネ ト ロ ン ス パ ッ タ way に よ り, Y series acidification の high critical current density J_c を も つ film の optimum production conditions を chase and し た. そ の results, Ba ー poor タ - ゲ ッ ト を with い て high T_c お よ び high J_c film を synthetic す る ス パ ッ タ conditions を Ming ら か に し, 77 k ゼ ロ magnetic で の J_c が T_c の upward と と も に raised large す る こ と を shown し た. さ ら に, こ れ ら の features about を す る thin-film は ス パ ッ の acid element points by タ 圧 に strong く dependent す る こ と が わ か っ た.

项目成果

期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Gin-ichiro Oya: "Observation of Josephson junction-like behaviors in single-crystal (Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2O_y." Japanese Journal of Applied Physics. (1992)
Gin-ichiro Oya:“观察单晶 (Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2O_y 中的约瑟夫森结样行为。”
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Mitsumasa Suzuki: "Critical current density and upper critical field in sputter-deposited Y-Ba-Cu-O films." Physica C. 185-189. 2171-2172 (1991)
Mitsumasa Suzuki:“溅射沉积 Y-Ba-Cu-O 薄膜中的临界电流密度和上临界场。”
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Gin-ichiro Oya: "Critical current as a function of temperature in superconducting single-crystal(Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2O_y." Physica C. 185-189. 2453-2454 (1991)
Gin-ichiro Oya:“超导单晶 (Bi,Pb)_2Sr_2CaCu_2O_y 中的临界电流与温度的关系。”
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Gin-ichiro Oya: "The effect of charged particles on the epitaxy of super-conducting YBa_2Cu_3O_<7->δ films in sputter-deposition." Japanese Journal of Applied Physics. (1992)
Gin-ichiro Oya:“带电粒子对溅射沉积中超导 YBa_2Cu_3O_<7->δ 薄膜的影响”(日本应用物理学杂志)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Gin-ichiro Oya: "The effect of plasma control on the crystallinity of sputter-deposited YBa_2Cu_3O_<7->δ films." 3rd FED Workshop on High-Temperature Superconducting Electron Devices. 60-61 (1991)
Gin-ichiro Oya:“等离子体控制对溅射沉积 YBa_2Cu_3O_<7->δ 薄膜结晶度的影响。”第三届高温超导电子器件 FED 研讨会 (1991)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

大矢 銀一郎其他文献

大矢 銀一郎的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('大矢 銀一郎', 18)}}的其他基金

酸化物高温超伝導体固有の超格子構造から発現する電子現象の解明と機能化に関する研究
氧化物高温超导体特有的超晶格结构中出现的电子现象的阐明和功能化研究
  • 批准号:
    06216215
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
酸化物高温超伝導体固有の超格子構造から発現する電子現象の解明と機能化に関する研究
氧化物高温超导体特有的超晶格结构所产生的电子现象的阐明和功能化研究
  • 批准号:
    05224213
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
酸化物高温超伝導体固有の超格子構造から発現する電子現象の解明と機能化に関する研究
氧化物高温超导体特有的超晶格结构所产生的电子现象的阐明和功能化研究
  • 批准号:
    04240212
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
高温超伝導体単結晶薄膜の育成と超伝導電子素子応用に関する基礎研究
高温超导单晶薄膜生长基础研究及超导电子器件应用
  • 批准号:
    02226202
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
高温超伝導体単結晶薄膜の育成と超伝導電子素子応用に関する基礎研究
高温超导单晶薄膜生长基础研究及超导电子器件应用
  • 批准号:
    01644501
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
酸化物高温超伝導体単結晶薄膜光エピタキシー装置の試作
氧化物高温超导单晶薄膜光外延器件原型机
  • 批准号:
    63850074
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
原子層エピタキシャル法による酸化物単結晶薄膜の成長機構とその制御に関する基礎研究
原子层外延法氧化物单晶薄膜生长机理及控制基础研究
  • 批准号:
    58550204
  • 财政年份:
    1983
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
原子層エピタキシャル法による酸化物単結晶薄膜育成のための制御装置の試作
原子层外延法生长氧化物单晶薄膜的原型控制装置
  • 批准号:
    58850073
  • 财政年份:
    1983
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
固相拡散・反応を利用した, シリコン単結晶ウエハーと一体構造の超伝導電子素子の製作
利用固相扩散和反应制造与硅单晶晶片集成的超导电子器件
  • 批准号:
    56750194
  • 财政年份:
    1981
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
化合物半導体GaNx薄膜単結晶の育成とその超伝導特性の解明に関する研究
化合物半导体GaNx薄膜单晶的生长研究及其超导特性的阐明
  • 批准号:
    X00210----475208
  • 财政年份:
    1979
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似海外基金

前駆体相からの結晶成長による単結晶有機薄膜蒸着プロセスの開発とデバイス応用
前驱体相晶体生长单晶有机薄膜沉积工艺及器件应用的开发
  • 批准号:
    23K23214
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
単結晶の巨大圧電性と多結晶の強靭性を併せ持つ革新的圧電トランスデューサ薄膜の創出
创建一种创新的压电换能器薄膜,结合了单晶的巨压电性和多晶的韧性
  • 批准号:
    23K23193
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
イオン液体を介した真空プロセスによるハライドペロブスカイト単結晶薄膜の創製
离子液体真空工艺制备卤化物钙钛矿单晶薄膜
  • 批准号:
    24KJ2036
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
10mm級大面積の単結晶薄膜ハライドペロブスカイト実現に向けた結晶成長技術の開発
开发晶体生长技术实现10mm级大面积单晶薄膜卤化物钙钛矿
  • 批准号:
    24K08273
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高性能な単結晶単分子有機半導体薄膜の創製のための集合体構造制御法の開発
开发用于创建高性能单晶单分子有机半导体薄膜的聚集结构控制方法
  • 批准号:
    24K08551
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
薄膜エピタキシーによる重元素ニクタイド正方格子単結晶の電子物性の開拓
薄膜外延开发重元素磷族元素方晶格单晶的电子性能
  • 批准号:
    22KJ0277
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
単結晶の巨大圧電性と多結晶の強靭性を併せ持つ革新的圧電トランスデューサ薄膜の創出
创建一种创新的压电换能器薄膜,结合了单晶的巨压电性和多晶的韧性
  • 批准号:
    22H01925
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
前駆体相からの結晶成長による単結晶有機薄膜蒸着プロセスの開発とデバイス応用
前驱体相晶体生长单晶有机薄膜沉积工艺及器件应用的开发
  • 批准号:
    22H01946
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
前駆体からのLi電池単結晶固体電解質薄膜の設計とナノ構造解析
锂电池单晶固体电解质薄膜前驱体的设计与纳米结构分析
  • 批准号:
    21K04635
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Crystal Structure, Carrier Mobility and Band-gap Controls of Coordination Polymers and their Application to Thin-film Solar Cell
配位聚合物的晶体结构、载流子迁移率和带隙控制及其在薄膜太阳能电池中的应用
  • 批准号:
    19K05513
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 4.8万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了