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励起準安定原子ペニングイオン化電子分光法による半導体表面上の金属原子吸着の研究

励起準安定原子ペニングイオン化電子分光法による半導体表面上の金属原子吸着の研究
激发亚稳态原子潘宁电离电子能谱研究半导体表面金属原子吸附
批准号：
59750013
负责人：
西垣 敏
金额：
$0.58万
依托单位：
Toyohashi University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1984
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1984 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-59750013/
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カルシウムシリサイド半導体のSi表面上エピタキシャル成長
  • 批准号：
    17656016
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.18万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    西垣 敏
  • 依托单位：
    Kyushu Institute of Technology
半導体ー金属接触構造のヘリウム準安定原子と吸着キセノン光電子による微視的研究
  • 批准号：
    02232216
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $0.7万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    西垣 敏
  • 依托单位：
    Toyohashi University of Technology
半導体-金属接触構造のヘリウム準安定原子と吸着キセノン光電子による微視的研究
  • 批准号：
    01650517
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $0.9万
  • 财政年份：
    1989
  • 负责人：
    西垣 敏
  • 依托单位：
    Toyohashi University of Technology
希ガス準安定原子・イオンと表面の間の電荷移動・交換機構の研究
  • 批准号：
    61212013
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $1.09万
  • 财政年份：
    1986
  • 负责人：
    西垣 敏
  • 依托单位：
    Toyohashi University of Technology