希ガス準安定原子・イオンと表面の間の電荷移動・交換機構の研究
希ガス準安定原子・イオンと表面の間の電荷移動・交換機構の研究
批准号:
61212013
负责人:
西垣 敏
金额:
$1.09万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份:
1986
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1986 至 --
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
準安定励起原子及び低速イオンと表面の間の電荷移動・交換メカニズムを、その相互作用の結果放出される電子を分光する立場から究明することが本研究の目的であった。本年度は、まず高性能ヘリウム準安定原子銃を製作し、更にSi(111)表面での【He^*】準安定原子の脱励起メカニズムの解明、及びアルカリ原子吸着の進行に伴う脱励起メカニズムの転換を調べた。1.飛行時間型準安定原子銃の製作:Heをパルス放電で励起し、【He^*】と同時に生成される真空紫外光(21.2eV)を、両者の飛行時間の差により分離した。【He^*】の速度分布はほゞマックスウェル則に従った。これにより、準安定原子脱励起分光と光電子分光のスペクトルの、同一表面・同時測定を可能にした。2.Si(111)清浄表面での【He^*】→【He^+】→【He^0】の過程:この清浄表面から得たスペクトルにより、【He^*】はまず表面との間の共鳴トンネルによってイオン化され、更にオージェ電子を出して中性化されることが分った。スペクトルの最大エネルギー値から、オージェ中性化の起きる位置が推定された(表面より約2【A!°】離れた位置)。3.アルカリ金属吸着による電荷移動機構の変化:Si(111)7×7表面にLi原子を吸着させると仕事関数Φが大きく低下する。Siの露出している位置に接近した【He^*】は、|ΔΦ|【<!〜】1eVの領域では、上と同じ共鳴イオン化+オージェ中性化機構で脱励起された。一方、Liの吸着した位置に接近した【He^*】は、吸着初期から、直接オージェ脱励起された。この事実から、脱励起過程は【He^*】の感じる局所的仕事関数に支配されることが判明した。また、この方法によりアルカリ吸着種の上の部分的に占有された局所荷電状態も明らかにされた。
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
西垣敏: Japanese Journal of Applied Physics. 25. L501-L503 (1986)
Satoshi Nishigaki:日本应用物理学杂志。25.L501-L503(1986)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
西垣敏: 日本結晶学会誌. 19. (1987)
Satoshi Nishigaki:日本晶体学会杂志 19。(1987)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
カルシウムシリサイド半導体のSi表面上エピタキシャル成長
-
批准号:17656016
-
项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
-
资助金额:$2.18万
-
财政年份:2005
-
负责人:西垣 敏
-
依托单位:
半導体ー金属接触構造のヘリウム準安定原子と吸着キセノン光電子による微視的研究
-
批准号:02232216
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$0.7万
-
财政年份:1990
-
负责人:西垣 敏
-
依托单位:
半導体-金属接触構造のヘリウム準安定原子と吸着キセノン光電子による微視的研究
-
批准号:01650517
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$0.9万
-
财政年份:1989
-
负责人:西垣 敏
-
依托单位:
励起準安定原子ペニングイオン化電子分光法による半導体表面上の金属原子吸着の研究
-
批准号:59750013
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.58万
-
财政年份:1984
-
负责人:西垣 敏
-
依托单位:
励起準安定原子線とレーザによる吸着脱離過程の研究
-
批准号:57212014
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$1.02万
-
财政年份:1982
-
负责人:西垣 敏
-
依托单位:
励起準安定原子線とレーザによる吸着・脱離過程の研究
-
批准号:56219014
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
-
资助金额:$1.86万
-
财政年份:1981
-
负责人:西垣 敏
-
依托单位:
UPS-PIS-LEED系による半導体表面構造変化の動的追跡
-
批准号:56750009
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.51万
-
财政年份:1981
-
负责人:西垣 敏
-
依托单位:
ペニング電子分光法による固体の表面電子状態の研究
-
批准号:X00210----575009
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.54万
-
财政年份:1980
-
负责人:西垣 敏
-
依托单位:
海外基金