X線光電子分光法によるIII-VI族層状半導体と金属の界面ポテンシャルに関する研究
X線光電子分光法によるIII-VI族層状半導体と金属の界面ポテンシャルに関する研究
利用X射线光电子能谱研究III-VI层状半导体与金属之间的界面势
批准号：
59750009
负责人：
丹保 豊和
金额：
$0.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1984
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1984 至 --
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会议论文
3-5族半導体と3-6族層状半導体のヘテロ界面形成とその物性
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批准号：04650011
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.34万
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财政年份：1992
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负责人：丹保 豊和
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依托单位：
電子分光法によるIII-VI層状半導体と金属の界面ポテンシャルに関する研究
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批准号：60750004
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1985
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负责人：丹保 豊和
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依托单位：