速度変調トランジスタ素子型試料を用いた量子ホール効果の破綻現象の研究

利用速度调制晶体管元件型样品研究量子霍尔效应的击穿现象

• 批准号: 08740230
• 负责人: 島田 宏
• 金额: $ 0.64万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08740230/
• 关键词: 量子ホール効果; ブレークダウン現象; 速度変調トランジスタ

量子ホール効果のブレークダウン現象がバルクの効果であるか、あるいは試料端の効果であるかという問題は、量子ホール効果状態下での試料中の電流分布の問題と関連して研究されてきている。これまで量子ホール効果のブレークダウンの臨界電流値の試料幅依存性からブレークダウンがバルク、試料端のどちらで起こる場合もあり、両者を分ける隠れたパラメータがあることが指摘されて来ている。この研究では、GaAs/AlGaAsの場合にその一つの可能性として、接合界面から離れたドープ層のイオン化不純物により2次元電子が受けるポテンシャル揺らぎの効果に着目し、基板上面、下面両方にゲート電極を設けた速度変調トランジスタ構造の素子を用い、2次元電子の波動関数の接合界面に対する相対的な位置を変化させて、ポテンシャル揺らぎの強度を変化させて、量子ホール効果のブレークダウンの臨界電流値の試料幅依存性を調べることを目指して研究を行った。実験は、速度変調トランジスタ構造型素子の作製、下面ゲート用高圧回路の作製、高圧用強磁場クライオスタットの作製等を経て行った。ポテンシャル揺らぎの強度変調の影響を押さえるためには、他のパラメータの変化を抑えた上で測定を行う必要があるため、現段階では、速度変調トランジスタ型素子の上面、下面ゲートによる電子濃度、電子移動度の制御を行っており、目的とした測定まで至っていない。

A Study on the Relationship between the Current Distribution in the Sample under the Condition of Quantum Effect and the Effect of Quantum Effect The sample amplitude dependence of the critical current value of the quantum property is changed from zero to zero, and from zero to zero at the sample end. In this study, there is a possibility that GaAs/AlGaAs can be used for the separation of impurities from the top layer of the bonding interface, and for the reception of two-dimensional electrons. The results show that the speed of electrode settings on the top and bottom surfaces of the substrate can be changed, and the ratio of two-dimensional electrons can be changed. The intensity of quantum chemistry changes, the critical current of quantum chemistry changes, and the amplitude dependence of quantum chemistry changes. For example, the operation of structural elements, the operation of high-voltage circuits and the operation of high-voltage high-intensity magnetic fields shall be carried out. The intensity of the change in the temperature is determined by the temperature. The electron concentration and electron mobility are determined by the temperature.