アルミ合金膜を用いた次世代銅配線における表面酸化保護膜に関する基礎的検討

使用铝合金膜的下一代铜布线表面氧化保护膜的基础研究

基本信息

  • 批准号:
    08750346
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.77万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1996
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1996 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

次世代配線材料として多くの期待を集めているCu薄膜は、Alと異なり表面からの酸化が配線層内部にまで進行するという問題を抱えている。その問題を早急に解決することがCu配線の適用にとって重要課題の一つとなっているため、Cuの表面からの酸化を高温まで抑制することを目的とし、最表面にCuの酸化保護膜を設けることを提案した。本研究では、そのような酸化保護膜として優れた自己酸化保護性を示すAlをCuと化合物を持たない高融点金属との合金とすることで、まず保護膜自身の熱的安定性を高め、同時にAl本来の自己酸化保護性に加えてAlが全て酸化反応に消費された後においても、合金としたもう一方の材料が酸化することでCu薄膜の酸化を抑制できるものと考え、Al-Mo及びAl-V合金のCu表面での酸化特性を検討した。その結果、どちらの合金を用いた場合においても極めてAl-richな合金組成において、大気中600℃で1時間の酸化処理後においてもCuの酸化を効果的に抑制できることが明らかとなった(投稿準備中)。これは、Alがまず選択的に表面で酸化することでAl-oxide層が形成され、酸化処理温度の増加に伴って表面のAl-oxide層が成長し、Al-oxide層中へ固溶できないCuがコンタクト内部へ拝斥され、酸化の第2段階としてAlが消費されると次にMoあるいはVが酸化することでCuの酸化を抑制するという酸化過程を経ることにより、極めて有用な結果が得られたものと考えられる。このように600℃という高温までCuの酸化を抑制できたという事実は、国内外を問わず現在までのところ報告されていないことから、Al-Mo及びAl-V合金薄膜は、大気中500℃までCuの酸化を保護したというこれまでのパッシベーション技術におけるトップ・データ(申請者ら:J.J.A.P.35,1844(1966)及びThin Solid Films272,18(1996)を塗り替えるという極めて優れた保護特性を示すことが実証された。したがって、本研究は今後のCuのパッシベーション技術に関する研究にとって有用な指針を与えるものと考えられ、当初の計画は十分に達成されたものと思われる。
The next generation of wiring materials is expected to be concentrated in the Cu thin film, Al and other surfaces, and the acidification of the wiring layer proceeds. The problem of copper wire application should be solved as soon as possible. One of the important problems is that the acidification of copper surface should be suppressed at high temperature. In this study, the acidification protection of Al, Cu and Cu compounds was studied, and the thermal stability of the protective film was improved. Meanwhile, the acidification protection of Al and Cu compounds was improved, and the acidification inhibition of Cu films was studied. Study on Acidification Characteristics of Cu Surface of Al-Mo and Al-V Alloys The results of this study are as follows: When the alloy is used, the composition of the Al-rich alloy is reduced to 600℃ for 1 hour, and the acidification of Cu is reduced to 600℃ for 1 hour. The Al-oxide layer is formed on the surface of the Al alloy, and the Al-oxide layer is grown with the increase of the acidification temperature. The Cu alloy is dissolved in the Al-oxide layer, and the Al alloy is oxidized in the second stage. The result is very useful. In this case, the acidification of Cu is inhibited at 600℃ and high temperature, and it is reported that Al-Mo and Al-V alloy thin films are protected against acidification of Cu at 500℃ and high temperature (applicant:J.J.A.P.35,1844(1966) and Thin Solid Films272,18(1996)). This study will be conducted in the future.

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
武山真弓 他2名: "Al-V合金膜の大気中でのCu表面保護効果" 第44回応用物理学関係連合講演会. (1997)
Mayumi Takeyama等2人:“大气中Al-V合金膜对Cu表面的保护作用”第44届应用物理学会会议(1997年)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
坂上正和 他2名: "Al-V合金薄膜を用いたCu表面の酸化保護効果" 応用物理学会北海道支部レーザー学会東北・北海道支部合同学術講演会講演予稿集. A-23. 23 (1996)
Masakazu Sakagami等2人:“使用Al-V合金薄膜的Cu表面的氧化保护效果”日本应用物理学会北海道分会激光学会东北/北海道分会联合学术讲座论文集A-23。 (1996)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
市川貴朗 他3名: "Cu配線上におけるAl-Mo合金薄膜の酸化保護膜としての評価" 応用物理学会北海道支部レーザー学会東北・北海道支部合同学術講演会講演予稿集. A-22. 22 (1996)
Takaaki Ichikawa等3人:《作为Cu布线上的氧化保护膜的Al-Mo合金薄膜的评价》日本应用物理学会北海道分会激光学会东北/北海道分会联合学术讲座论文集A-。 22. 22 (1996))
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
市川貴朗 他3名: "Al-Mo合金薄膜によるCu配線の酸化保護" 第44回応用物理学関係連合講演会. (1997)
Takaaki Ichikawa 等 3 人:“Al-Mo 合金薄膜对铜布线的氧化保护”第 44 届应用物理协会讲座(1997 年)。
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  • DOI:
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    2007
  • 期刊:
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    0
  • 作者:
    佐藤 勝;武山 真弓;野矢 厚
  • 通讯作者:
    野矢 厚
45nmノードに対応した極薄ZrN膜のバリヤ特性
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ZrB_2薄膜のキャラクタリゼーションとCu/Sio_2問のバリヤ特性
ZrB_2薄膜表征及Cu/Sio_2阻隔性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
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  • 作者:
    武山 真弓;中台 保夫;神原 正三;畠中 正信;野矢 厚
  • 通讯作者:
    野矢 厚
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  • 批准号:
    12750255
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 0.77万
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    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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    09750339
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 0.77万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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  • 财政年份:
    1995
  • 资助金额:
    $ 0.77万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
アモルファス合金バリヤを用いた積層構造のLSIメタライゼーション技術への適用
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    06750300
  • 财政年份:
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  • 资助金额:
    $ 0.77万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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