シリコン超微粒子発光メカニズムに関する研究

硅超细颗粒发射机理研究

• 批准号: 08750375
• 负责人: 孫 勇
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Kyushu Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08750375/
• 关键词: microcrystalline Silicon; oriented growth; hydrogen plasma; ion bom baxdment effect; sputtering; silicon carbide

本研究では水素プラズマスパッタリング法を用いてシリコン超微粒子を作製した。シリコン超微粒子の形成メカニズムを解明するために、まず超微粒子膜に対するプラズマ中の水素イオンの役割を明らかにした。実験結果によると、水素イオンの超微粒子膜へのしょう突は超微粒子形成の需要条件である。さらに、シリコン超微粒子形成中の配向メカニズムを明らかにした。作製温度などの作製条件に依存する以外、シリコン超微粒子の配向はシリコン結晶自身の結晶学性質によって決まる。その決まる要因は二つある。一つは安定結晶核の形成確率である。もう一つは結晶核成長段階にある成長速度である。この成長速度は主に結晶核でのプラズマ粒子の吸着確率によって決まる。さらに、Cの導入によって、シリコン結晶粒はどう変わるかについても研究した。

In this study, we studied the effect of water on ultrafine particles. The formation of ultra-fine particles in the formation of ultra-fine particles in the formation of ultra-fine particles The results show that the ultra-fine particle film is formed under the condition of water element. In addition, the alignment membrane in the formation of Sirikonen ultrafine particles will be unveiled tomorrow. In addition to the dependence of the processing temperature on the processing conditions, the orientation of ultrafine particles and the crystallization properties of the crystals themselves are determined. The reason for the decision is that it is due to two reasons. A stable crystal nucleus formation rate.もう一つは结晶核成长段阶にある成长速度である。The growth rate depends on the adsorption rate of the main crystal nucleus. The crystal particles of C and C are introduced into the crystal particles.

项目成果

N.SONODA, Yong SUN: "Evidence for the Appearance of Carbon-rich Layer at the Interface of Sic Film/Si Substrate" J.Vac.Sci.Technol.A15・1. 18-20 (1997)

N.SONODA, Yong SUN：“碳化硅薄膜/硅基板界面上出现富碳层的证据”J.Vac.Sci.Technol.A15·1 (1997)。

Yong SUN: "Study of Hydrogen Ion Bombardment Effect on the Growth of Si : H Films Prepared by Hydrogen Plasma Sputtering of Silicon" Jpn.J.Appl.Phys.35・7B. L869-L872 (1996)

孙勇：“氢离子轰击对硅生长的影响研究：氢等离子体溅射硅制备的H薄膜”Jpn.J.Appl.Phys.35・7B（1996）。

N.SONODA,Y.WATARI,Yong SUN: "Observation of the Formation Processes of Hollow Voids at the Interface between Sic Films and Si Substrate" Jpn.J.Appl.Phys.35・12B. L1655-L1657 (1996)

N.SONODA、Y.WATARI、Yong SUN：“SiC 薄膜与 Si 基板界面处空洞形成过程的观察”Jpn.J.Appl.Phys.35・12B (1996)。

Yong SUN: "Possible Origin for(110)-Oriented Growth of Grains in Hydrogenated Microcrystalline silicon films" Appl.Phys.Lett. 70.4. 508-510 (1997)

孙勇：“氢化微晶硅薄膜中晶粒（110）取向生长的可能起源”Appl.Phys.Lett。

N.SONODA,Yong SUN: "Low-Temperature Growth of Oriented Silicon Cavbide on Silicon by Reactive Hydrogen Plasma Sputtering Technique" Jpn.J.Appl.Phys.35・8B. L1023-L1026 (1996)

N.SONODA，孙勇：“通过反应氢等离子体溅射技术在硅上低温生长取向硅碳化物”Jpn.J.Appl.Phys.35・8B（1996）。