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ナノメトリック分子膜界面の電子的構造の解析と分子膜整流素子の試作

纳米分子膜界面电子结构分析及分子膜整流器样机制作

基本信息

批准号：
08875064
负责人：
岩本光正
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至 1997
项目状态：
已结题

项目摘要

ほぼ当初の計画を達成できたと考えている。具体的な研究成果を要約すると以下のようになる。[1]分子膜界面のナノメットリック空間電荷分布に関する研究(1)仕事関数の異なる金属上に機能性ポリイミドLB膜を層数を変えて作製し、膜間に発生する電位を計測し、金属から電極への電荷の移動に伴う過剰電子の存在を明らかにする事ができた。また、表面電位の飽和値と金属の仕事関数の間には直線関係があることを、各種ポリイミド材料に対して示す事ができた。(2)分子膜と電極界面のナノメットリックな領域(厚さ方向)の空間電荷分布を決定する手法を開発した。(3)表面電位の温度特性、光照射した後の特性についても、同様に界面空間電荷分布を求めることができた。[2]分子膜界面のナノメットリックな領域の電子的エネルギー構造の決定に関する研究(1)各種金属上にポリイミドLB膜を層数を変えて作製し、膜間に発生する電位を計測し、温度特性を利用して、分子膜と電極界面のナノメットリックな領域(厚さ方向)のエネルギー的な電子構造を評価する手法を確立し、分子膜界面のナノメットリックな領域(厚さ方向)のエネルギー的な電子構造を評価した。[3]分子膜整流素子の試作(1)界面の電子状態を考慮して、C-V特性についてのモデルにもとづいた解析を行い、ポリイミド30層膜では、界面から5層程度の領域で電荷の授受があれば容量変化として観測できるという解析結果を得た。また、2層の膜を移用して、電極間にサンドイッチされた膜構造を持つ素子の作製を行い、そのI-V,C-V特性の評価を試みた。

The original plan was achieved. Specific research results are offered below. [1]A study on the space charge distribution at the interface of molecular films (1) The number of layers of LB films depends on the number of different functional layers on the metal. The potential generated between the films is measured. The charge movement of the metal electrode is accompanied by the existence of electrons. There is a linear relationship between the saturation value of the surface potential and the number of metal species, and there is a linear relationship between the saturation value and the number of metal species. (2)The method for determining the space charge distribution in the area of molecular film and electrode interface is developed. (3)Temperature characteristics of surface potential, characteristics after light irradiation, and space charge distribution at the interface [2]A Study on the Determination of Electronic Structure of Molecular Film Interface (1) The Method for Determining the Number of Layers of LB Films on Various Metals, the Measurement of Potential Generated between Films, the Utilization of Temperature Characteristics, and the Evaluation of Electronic Structure of Molecular Film Electrode Interface (Thickness Direction) Evaluation of the electronic structure of molecular film interface in different regions (thickness direction) [3]Molecular film rectifier experiment (1) The electronic state of the interface is considered, the C-V characteristics are measured, and the charge transfer and reception are obtained in the 30-layer film, and the interface is measured in the 5-layer region. For example, 2-layer film transfer, inter-electrode film structure, element fabrication, I-V,C-V characteristics evaluation, etc.