微小トンネル接合における散逸効果の研究

微隧道结耗散效应研究

• 批准号: 10127209
• 负责人: 八木 隆多
• 金额: $ 0.96万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1998 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10127209/
• 关键词: 微小ジョセフソン接合; 常伝導トンネル接合; 巨視的量子トンネル; エネルギー散逸

微小ジョセフソン接合では位相のトンネルに付随するエネルギー散逸が重要である。散逸が大きくなるにつれ、トンネルレートのの抑圧は増大し、ジョセフソン接合は、散逸に依存した超伝導・絶縁体転移を示す。エネルギー散逸の代表例は、オーミックなシャント抵抗である。このエネルギー散逸のシャント抵抗の制御による超伝導・絶縁体転移に関して報告した。これとは異なるエネルギー散逸としてトンネル抵抗(サブギャップ抵抗)と呼ばれるトンネルに伴う抵抗である。トンネル抵抗では電荷が離散的に変化するのに対し、オーミックシャント抵抗では電荷が連続的に変化するという違いがある。我々は、二軸回転の斜め蒸着法と、プラズマ酸化を組み合わせることにより、トンネル抵抗の制御をした試料の作成に成功した。試料の構造はアルミニウムで形成される微小ジョセフソン接合近傍に、常伝導金属であるクロムのトンネル接合を付加した複合単一接合であり、外部環境の影響からこの接合を孤立させるために、同一基板上て複合接合のごく近傍に細長いクロム線で形成される高抵抗のリード線を形成しこれを介して測定を行った。アルミニウムのジョセフソン接合の常伝導時の接合抵抗を、量子抵抗(約6キロオーム)よりも充分高くし、外づけの常伝導接合のトンネル抵抗によりトンネル的エネルギー散逸を3キロオーム前後に調節した試料で、超伝導・絶縁体転移を観測するのに成功した。

The phase of the joint is so small that it is important to escape. The movement of the body is indicated by the movement of the body, the joint, the dependence and the movement of the body. "escape" represents an example, "escape" represents an example, "escape" represents an example, and "escape" represents an example. Please tell me that you need to know how to control the movement of the body. I don't know, I don't know, I don't know. It is necessary to prevent the spread of electric charges, and to prevent the spread of electric charges. In the second part of the paper, the method is steamed, the acidizing system is combined, and the material is made into a successful one. The material is used to form a device that is close to the surface of the joint, the metal is often used in the bonding process, and the external environment is in contact with the isolated one. On the same substrate, there is a high resistance to the formation of a high resistance and a high resistance to the determination of the temperature on the same substrate. In the normal operation, the contact resistance, the quantum resistance (about 6 percent), the contact resistance (about 6 percent), the quantum resistance (about 6 percent).

项目成果

R.Yagi,S.Kobayashi and Y.Ootuka: "Dissipatine Phase Transition in Single Small Josephson Junction with Normal Tunneling Junction" J.Phys.Soc.Jpn.68・4(in press). (1999)

R.Yagi、S.Kobayashi 和 Y.Ootuka：“具有正常隧道结的单个小约瑟夫森结中的耗散相变”J.Phys.Soc.Jpn.68·4（印刷中）。

R.Yagi and S.Kobayashi: "The Effect of Shunt Resistor on Superconductor-Insulator Transition in Single Small Josephson Junctions" Solid State Electronics. 42. 1477-1480 (1998)

R.Yagi 和 S.Kobayashi：“分流电阻对单个小约瑟夫森结中超导-绝缘体转变的影响”固态电子学。

T.Yamaguchi,R.Yagi,S.Kobayashi and Y.Ootuka: "Two-Dimensional Arrays of Small Josephson Junctions with Regular and Random Defects" J.Phys.Soc.Jpn.66. 729-731 (1998)

T.Yamaguchi、R​​.Yagi、S.Kobayashi 和 Y.Ootuka：“具有规则和随机缺陷的小约瑟夫森结的二维阵列”J.Phys.Soc.Jpn.66。