III-V族半導体を用いるショットキーデバイスの界面準位の光電子分光法による研究
III-V族半導体を用いるショットキーデバイスの界面準位の光電子分光法による研究
使用光电子能谱研究使用 III-V 族半导体的肖特基器件中的界面态
批准号：
97J04891
负责人：
久保田 智広
金额：
$0.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
1998
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1998 至 --
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会议论文
遷移金属の新しい低温化学反応エッチングメカニズムの提案
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批准号：15K04712
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.16万
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财政年份：2015
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负责人：久保田 智広
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依托单位：
単電子デバイスのための積層量子ナノディスク構造の精密作製と量子特性制御
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批准号：20560288
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.08万
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财政年份：2008
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负责人：久保田 智広
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依托单位：
単一サブ10nm微細構造のためのマルチ同時解析装置の開発
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批准号：18760049
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.3万
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财政年份：2006
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负责人：久保田 智広
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依托单位：